基板处理装置

摘要

〔课题〕可令供给于叠层基板之气体流量与流速均一化，而可对该叠层基板作均一的供体供给。〔解决方式〕在反应管6内，设以具有同一开口面积之缓冲室孔3的缓冲室，在其内部配设以具有气体喷嘴孔4之气体喷嘴2，该气体喷嘴孔4之开口面积系自气体之上游侧朝下游侧之方向变大，由气体喷嘴2喷出之气体一旦导入该缓冲室17内，俟气体流速之差均一化后，乃自缓冲室孔3供给于晶圆（wafer）。