发明名称 基材加工装置及基材加工方法
摘要 一种基材加工装置可去除形成于晶圆上之光阻膜,该去除方式系经由固定晶圆于一加工容器,让晶圆暴露于导入加工容器内部之水蒸气与含臭氧气体之混合气态流体。欲暴露于混合气态流体之加工容器内表面以及欲暴露于混合气态流体之置于加工容器之组成元件表面涂覆以二氧化矽膜,俾保护该表面不受混合气态流体之腐蚀作用。
申请公布号 TW200308011 申请公布日期 2003.12.16
申请号 TW092112425 申请日期 2003.05.07
申请人 东京威力科创股份有限公司;新力股份有限公司 发明人 户岛孝之;阿部仁
分类号 H01L21/306 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 日本