| 主权项 |
1.一种闸极结构,形成于一半导体基底上,包括:至少一第一部分多晶矽层,用以作为底层;至少一多晶矽层,形成于该第一部分多晶矽层上;及至少一第二部分多晶矽层,形成于该多晶矽层上,用以作为顶层。2.如申请专利范围第1项所述之闸极结构,其中该第一部分多晶矽层于具有氢气之处理室中形成。3.如申请专利范围第1项所述之闸极结构,其中该第二部分多晶矽层于具有氢气之处理室中形成。4.如申请专利范围第1项所述之闸极结构,其中该多晶矽层之厚度大于该第一部分多晶矽层及该第二部分多晶矽层。5.一种金氧半导体,包括:一半导体基底;一闸极氧化层,形成于该半导体基底上;及一多层结构闸极,包括部分多晶矽底层、多晶矽中间层、及部分多晶矽顶层。6.如申请专利范围第5项所述之金氧半导体,其中该部分多晶矽底层于具有氢气之处理室中形成。7.如申请专利范围第5项所述之金氧半导体,其中该部分多晶矽顶层于具有氢气之处理室中形成。8.如申请专利范围第5项所述之金氧半导体,其中该多晶矽层之厚度大于该部分多晶矽底层及该部分多晶矽顶层。9.一种闸极结构的制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,该半导体基底上形成有一介层;于具有氢气之环境中对该半导体基底进行沉积以形成一第一部分多晶矽层;对该半导体基底进行沉积以在该第一部分多晶矽层上形成一多晶矽层;及在具有氢气之环境中对该半导体基底进行沉积以在该多晶矽层上形成一第二部分多晶矽层。10.如申请专利范围第9项所述之闸极结构的制造方法,其中该介层为闸极氧化层。11.如申请专利范围第9项所述之闸极结构的制造方法,其中该多晶矽层之厚度大于该第一部分多晶矽层及该第二部分多晶矽层。12.一种闸极结构的制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,于该半导体基底上形成一介层;在具有氢气之环境中对该半导体基底进行沉积以形成一第一部分多晶矽层;对该半导体基底进行沉积以在该第一部分多晶矽层上形成一多晶矽层;在具有氢气之环境中对该半导体基底进行沉积以在该多晶矽层上形成一第二部分多晶矽层;对该第一部分多晶矽层、该多晶矽层及该第二部分多晶矽层进行离子植入步骤;于该第二部分多晶矽层上形成一图案化光阻,以该图案化光阻为罩幕,蚀刻该第一部分多晶矽层、该多晶矽层及该第二部分多晶矽层以形成一闸极;及去除该图案化光阻。13.如申请专利范围第12项所述之闸极结构的制造方法,其中该介层为闸极氧化层。14.如申请专利范围第12项所述之闸极结构的制造方法,其中该多晶矽层之厚度大于该第一部分多晶矽层及该第二部分多晶矽层。15.如申请专利范围第12项所述之闸极结构的制造方法,其中该离子植入步骤之离子为砷或硼。图式简单说明:第1a-1c图系显示习知之制造闸极之步骤流程示意图。第2a-2f图系显示本发明之制造闸极之步骤流程示意图。 |
