| 主权项 |
1.一种快闪记忆体之制造方法,该方法包括下列步骤:提供一基底,该基底已形成一隔离结构,该隔离结构定义出一主动区;于该基底之该主动区上形成一衬层;于该基底上形成一罩幕层;于图案化该罩幕层以形成一开口;移除该开口所暴露之该衬层;于该开口底部形成一穿隧介电层;于该开口之侧壁形成一浮置闸极,且该浮置闸极之顶部低于该罩幕层表面;以该浮置闸极为罩幕,于该开口底部之该基底中形成一源极区;于该开口内形成一闸间介电层;于该基底上形成填满该开口之一控制闸极;移除该罩幕层;于该基底上形成一闸介电层并于该浮置闸极、该控制闸极之侧壁形成一间隙壁;于该浮置闸极与该控制闸极之侧壁形成一选择闸极;以及于该选择闸极一侧之该基底中形成一汲极区。2.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体之制造方法,其中于该开口之侧壁形成该浮置闸极,且该浮置闸极之顶部低于该罩幕层表面之步骤包括:于该基底上形成一第一导体层;以非等向性蚀刻制程移除部分该第一导体层,已于该开口之侧壁形成一第一导体间隙壁,且该第一导体间隙壁之顶部低于该罩幕层表面;以及图案化该第一导体间隙壁,以形成该浮置闸极。3.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体之制造方法,其中于该基底上形成填满该开口之该控制闸极之步骤包括:于该基底上形成一第二导体层;以及移除该开口以外之部分该第二导体层,以形成该控制闸极。4.如申请专利范围第3项所述之快闪记忆体之制造方法,其中移除该开口以外之部分该第二导体层之方法包括回蚀刻法。5.如申请专利范围第3项所述之快闪记忆体之制造方法,其中移除该开口以外之部分该第二导体层之方法包括化学机械研磨法。6.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体之制造方法,其中于该浮置闸极与该控制闸极之侧壁形成该选择闸极之步骤包括:于该基底上形成一第三导体层;以及以非等向性蚀刻制程移除部分该第三导体层,已于该浮置闸极与该控制闸极之侧壁形成该选择闸极。7.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体之制造方法,其中该闸间介电层之材质包括氧化矽/氮化矽/氧化矽。8.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体之制造方法,其中该衬层之材质包括氧化矽。9.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体之制造方法,其中该罩幕层之材质包括与该浮置闸极、该控制闸极与该选择闸极具有不同蚀刻选择性者。10.如申请专利范围第6项所述之快闪记忆体之制造方法,其中该罩幕层之材质包括氮化矽。11.一种快闪记忆体之制造方法,该方法包括下列步骤:提供一基底,该基底已形成一隔离结构,该隔离结构定义出一主动区;于该基底之该主动区上形成一衬层;于该基底上形成一罩幕层;于图案化该罩幕层以形成一开口;移除该开口所暴露之该衬层;于该开口底部形成一穿隧介电层;于该基底上形成一第一导体层;移除部分该第一导体层,以于该开口之侧壁形成一第一导体间隙壁,且该第一导体间隙壁之顶部低于该罩幕层表面;图案化该第一导体间隙壁,以形成一浮置闸极;以该浮置闸极为罩幕,于该开口底部之该基底中形成一源极区;于该开口内形成一闸间介电层;于该基底上形成一第二导体层;移除该开口以外之部分该第二导体层,以形成一控制闸极;移除该罩幕层;于该基底上形成一闸介电层并于该浮置闸极、该控制闸极之侧壁形成一间隙壁;于该基底上形成一第三导体层;移除部分该第三导体层,已于该浮置闸极与该控制闸极之侧壁形成一选择闸极;以及于该选择闸极一侧之该基底中形成一汲极区。12.如申请专利范围第11项所述之快闪记忆体之制造方法,其中移除该开口以外之部分该第二导体层之方法包括回蚀刻法。13.如申请专利范围第11项所述之快闪记忆体之制造方法,其中移除该开口以外之部分该第二导体层之方法包括化学机械研磨法。14.如申请专利范围第11项所述之快闪记忆体之制造方法,其中该闸间介电层之材质包括氧化矽/氮化矽/氧化矽。15.如申请专利范围第11项所述之快闪记忆体之制造方法,其中该衬层之材质包括氧化矽。16.如申请专利范围第11项所述之快闪记忆体之制造方法,其中该罩幕层之材质包括与该浮置闸极、该控制闸极与该选择闸极具有不同蚀刻选择性者。17.如申请专利范围第11项所述之快闪记忆体之制造方法,其中该罩幕层之材质包括氮化矽。图式简单说明:第1图为绘示一种习知之分离闸极快闪记忆体之剖面结构图。第2A图至第2E图所绘示为本发明较佳实施例之快闪记忆体之制造剖面流程图。 |
