| 发明名称 | 等离子体处理装置及排气环 | ||
| 摘要 | 本发明可以得到具有耐等离子体性高、可抑制异常放电的排气环的等离子体处理装置。处理室(100)包含配置上部电极(112)的顶板部(110)，和配置可载置与上部电极(112)对置配置的下部电极(122)的容器部(120)。在下部电极(122)周围配以排气环(126)，以便划分处理室(100)内的等离子体处理空间(102)和排气空间(104)，在排气环(126)上形成贯通孔(126a)和比贯通孔(126a)数量少，且在等离子体处理空间(102)侧开口的盲孔(126b)。在排气环(126)的等离子体处理空间(102)侧表面上施以由Y<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>构成的绝缘膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1461494A | 申请公布日期 | 2003.12.10 |
| 申请号 | CN01816013.1 | 申请日期 | 2001.11.02 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 小笠原正宏;加藤和也 |
| 分类号 | H01L21/3065;H01J37/32 | 主分类号 | H01L21/3065 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳;沙捷 |
| 主权项 | 1.一种等离子体处理装置，其具有：处理室；在所述处理室内可载置被处理体的第1电极；在所述处理室内与所述第1电极对置配置的第2电极；可向所述处理室内导入处理气体的处理气体供给系统；可对所述处理室内真空排气的排气系统；以及在所述第1及第2电极的至少一方上施加高频电力，使所述处理气体等离子体化，向所述被处理体实施规定的等离子体处理的高频电力供给系统，其特征为，在所述第1电极周围配置排气环，以便划分处理室内的等离子体处理空间和排气空间，在所述排气环上形成贯通孔和凹凸部。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||