| 发明名称 | 静电放电保护电路 | ||
| 摘要 | 本发明为一种静电放电保护电路，包含有一半导体控整流器以及一非挥发性内存。半导体控制整流器包含有一阳极、一阴极以及一阳极栅，而阳极与阴极是分别连接于一第一和一第二电路接点。非挥发性内存包含有一浮动栅以及一对源/漏极，源/漏极分别连接于半导体控制整流器的阴极与阳极栅，且浮动栅内存有预定量电荷，以降低半导体控制整流器呈负顺向偏压的触发电压。 | ||
| 申请公布号 | CN1130768C | 申请公布日期 | 2003.12.10 |
| 申请号 | CN01110181.4 | 申请日期 | 2001.03.28 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 陈伟梵;俞大立 |
| 分类号 | H01L23/60 | 主分类号 | H01L23/60 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 1.一种静电放电保护电路，包括：一半导体控制整流器，包含有一阳极、一阴极以及一阳极栅，而该阳极与该阴极是分别连接于一第一和一第二电路接点；以及一非易失性存储器，其包含有一浮动栅以及一对源极或漏极，该对源极或漏极是分别连接于该半导体控制整流器的阴极与阳极栅，且该浮动栅存储器有预定量的电荷，以降低该半导体控制整流器的一触发电压。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||