| 摘要 |
<p>L'invention concerne un substrat (1) de silicium, immergé pendant 30 minutes dans de l'acide nitrique azéotropique chauffé au point azéotropique de 120,7 °C pour former un film (5) d'oxyde chimique très fin sur la surface du substrat (1) de silicium. Un film métallique (6) (film à alliage d'aluminium-silicium) est déposé sur le film (5) d'oxyde chimique. Le substrat est chauffé dans un gaz contenant de l'hydrogène à 200°C pendant 20 minutes. En chauffant ainsi le substrat dans un gaz contenant de l'hydrogène, l'hydrogène réagit avec les états d'interface et les états défectueux du film (5) d'oxyde chimique, et les états disparaissent. La qualité du film peut ainsi être améliorée. Un film de dioxyde de silicium très mince à faible densité de courant de fuite et de haute qualité peut ainsi être formé sur un substrat de silicium à basse température et ce, avec une bonne capacité de réglage de l'épaisseur du film.</p> |
