Magnetischer Direktzugriffsspeicher mit reduzierten Parasitärströmen

摘要

Systeme und Verfahren zum Speichern von Daten werden bereitgestellt. Ein darstellendes System zum Speichern von Daten umfaßt eine magnetische Direktzugriffsspeichervorrichtung (MRAM-Vorrichtung), die eine Mehrzahl von Speicherzellen aufweist. Jede Speicherzelle umfaßt einen magnetischen Tunnelübergang und einen nichtmagnetischen Tunnelübergang, die in Reihe geschaltet sind. Der magnetische Tunnelübergang speichert einen Bitwert, der einem logischen Hoch (1) oder einem logischen Niedrig (0) entspricht. Der nichtmagnetische Tunnelübergang liefert wenig Widerstand, wenn die Speicherzelle gelesen wird, und einen relativ hohen Widerstand, wenn die Speicherzelle nicht gelesen wird. Folglich leckt ein vernachlässigbarer Pegel von Parasitärstrom durch Speicherzellen, die nicht gelesen werden.