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发明名称 SRAM CELL WITH REDUCED STANDBY LEAKAGE CURRENT AND FORMING METHOD THEREOF
摘要
申请公布号 KR20030091687(A) 申请公布日期 2003.12.03
申请号 KR20030031825 申请日期 2003.05.20
申请人 发明人
分类号 G11C11/41;H01L27/11;G11C11/412;H01L21/8238;H01L21/8244;H01L27/092 主分类号 G11C11/41
代理机构 代理人
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