应用于生长外延晶体的通用衬底及其制备方法

摘要

一种在晶体衬底上制备外延晶体薄膜的方法，包括在衬底上形成原子厚度的弱耦合界面层，再在其上生长外延晶体的方法。其中原子厚度的弱耦合界面层可以通过形成单原子层或几个原子层厚度的超薄界面层实现，或者在有纳米厚度的超薄表面硅的绝缘衬底上通过表面的材料转化来实现。这样形成的弱耦合衬底可以降低衬底晶体同外延晶体之间的强相互作用，从而降低外延层的晶体缺欠。

主权项

1.一种晶体薄膜的生长方法，该方法包括把位于非晶层上的纳米厚度的超薄单晶薄膜转化为异质薄膜，在表面形成很小内应力或无内应力的薄膜层，再在其上生长异质外延薄膜。