| 发明名称 | 半导体激光器 | ||
| 摘要 | 一种半导体激光器，该激光器在p－包层与n－包层之间设置活性层，该活性层具有包含多个势垒层和阱层的多重量子阱，且至少在一个势垒层上进行了p型调制掺杂。具体地说，提供一种靠近p－包层的势垒层的p型调制掺杂量少于靠近n－包层的势垒层的p型调制掺杂量的半导体激光器。借以抑制不发光再结合，提高差分增益和高速应答性。同时因离p－包层远的势垒层中空穴密度变高，所以还可改善载流子的不均性。 | ||
| 申请公布号 | CN1459900A | 申请公布日期 | 2003.12.03 |
| 申请号 | CN03101735.5 | 申请日期 | 2003.01.21 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 高濑祯 |
| 分类号 | H01S5/30;H01S5/00 | 主分类号 | H01S5/30 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种半导体激光器，该半导体激光器在p-包层与n-包层之间设置了活性层，该活性层具有含有多个势垒层与阱层的多重量子阱，而且，至少在一个势垒层上进行了p型调制掺杂；其特征在于，靠近上述p-包层的上述势垒层的p型调制掺杂量少于靠近上述n-包层的上述势垒层的p型调制掺杂量。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||