| 主权项 |
1.一种在半导体基板(12)形成铜电路结构(18)之方法,包括:以铜种子层(14)涂覆该基板(12)以形成合成物;以抗蚀层涂覆该合成物;暴露该抗蚀层至光化辐射线;显影该抗蚀层以暴露该铜种子层(14)之部份并形成成像抗蚀层涂层(16);修整该成像抗蚀层涂层(16),以增加藉由在该成像抗蚀层涂层(16)中的开口所定义之线宽;以及电镀铜以获得从该铜种子层(14)成长之铜电路结构(18)。2.如申请专利范围第1项之方法,复包括:在电镀该铜之后剥除该抗蚀层(16);形成介电质涂层于该铜电路结构(18)之上;以及移除该介电质涂层(19)之部份以暴露该铜电路结构(18)。3.如申请专利范围第2项之方法,复包括在以该介电质(19)涂覆之前,以扩散阻障形成材料涂层该铜电路结构(18)。4.一种在半导体基板(22)形成铜电路结构(28)之方法,包括:以抗蚀层涂覆该基板(22);暴露该抗蚀层至光化辐射线;显影该抗蚀层以形成具有开口之成像抗蚀层涂层(26);在该成像抗蚀层涂层(26)以及该基板(22)上形成铜种子层(24)以形成合成物;移除该等开口外之铜种子层(24)的部份;以及电镀铜以获得在该成像抗蚀层涂层(26)之开口内从该铜种子层(24)成长之铜电路结构(28)。5.一种用于铜电路结构(18)之合成物,包括:半导体基板(12);铜种子层(14),系在该半导体基板(12)之上;以及成像抗蚀层涂层(16),系在该铜种子层(14)之上并与该铜种子层(14)接触,其中该成像抗蚀层涂层(16)经修整以增加藉由在该成像抗蚀层涂层(16)中之开口所定义之线宽。6.一种用于铜电路结构(18)之合成物,包括:半导体基板(12);成像抗蚀层涂层(16),具有开口,并且在该半导体基板(12)之上,其中该成像抗蚀层涂层(16)经修整以增加藉由在该成像抗蚀层涂层(16)中之该开口所定义之线宽;以及铜(18),系在该成像抗蚀层涂层(16)中填补该开口。7.一种在半导体基板(32)形成铜电路结构(38)之方法,包括:以铜种子层(34)涂覆该基板(32)以形成合成物;以抗蚀层涂覆该合成物;暴露该抗蚀层至光化辐射线;显影该抗蚀层以形成具有开口之成像抗蚀层涂布(36);以填补该开口之介电质(39)涂覆该抗蚀层(36);抛光以移除该等开口外之介电质(39);剥除该抗蚀层(36)以暴露该铜种子层(34)之部份;以及电镀铜以获得从该铜种子层(34)成长之铜电路结构(38)。8.如申请专利范围第7项之方法,复包括在电镀之前先修整该介电质(39)以增加藉由在该成像抗蚀层涂层(36)中的开口所定义之线宽,其中,修整增加该线宽至少25%。9.一种在半导体基板(32)形成铜电路结构(38)之方法,包括:以铜种子层(34)涂覆该基板(32)以形成合成物;以抗蚀层涂覆该合成物;暴露该抗蚀层至光化辐射线;显影该抗蚀层以形成具有开口之成像抗蚀层涂层(36);以在该成像抗蚀层涂层(36)中填补该开口之暂时涂层来涂覆该成像抗蚀层(36);抛光以移除在该成像抗蚀层涂层(36)中的开口外之暂时涂层;剥除该抗蚀层(36)以暴露该铜种子层(34)之部份;电镀铜以获得从该铜种子层(34)成长之铜电路结构(38);剥除该暂时涂层;以该介电质(39)涂覆该铜电路结构(38);以及抛光以暴露该铜电路结构(38)。图式简单说明:第1图为根据本发明之一个态样用于形成铜电路结构之方法的流程图。第2图说明在半导体基板上的铜种子层之上的成像抗蚀层。第3图说明在以铜电镀后的第2图之结构。第4图说明在剥除抗蚀层后的第3图之结构。第5图说明在涂层有介电质后的第4图之结构。第6图说明在移除该介电质之部份后的第5图之结构。第7图为根据本发明之另一态样用于形成铜电路结构之方法的流程图。第8图说明在半导体基板上的铜种子层之上的成像抗蚀层。第9图说明在移除该铜种子层之部份后的第8图之结构。第10图说明在以铜电镀后的第9图之结构。第11图说明在剥除抗蚀层后的第10图之结构。第12图说明在涂层有介电质后的第11图之结构。第13图说明在移除该介电质之部份后的第12图之结构。第14图为根据本发明之又一态样用于形成铜电路结构之方法的流程图。第15图说明在半导体基板上的铜种子层之上的成像抗蚀层。第16图说明在涂层有介电质后的第15图之结构。第17图说明在抛光后的第16图之结构。第18图说明在剥除抗蚀层后的第17图之结构。第19图说明在以铜电镀后的第18图之结构。第20图说明在剥除抗蚀层后的第19图之结构。 |
