| 发明名称 |
LAYER ARRANGEMENT AND MEMORY ARRANGEMENT |
| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Schicht-Anordnung, eine Schicht-Anordnung und eine Speicher-Anordnung. Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird zum Herstellen einer Schicht-Anordnung mindestens eine jeweils lateral begrenzte erste Schichtenfolge auf einem ersten Oberflächen-Bereich eines Substrats und mindestens eine jeweils lateral begrenzte zweite Schichtenfolge auf einem zweiten Oberflächen-Bereich des Substrats ausgebildet, wird jeweils eine erste Seitenwand-Schicht einer ersten Dicke aus einem ersten elektrisch isolierenden Material auf zumindest einem Teil-Bereich der Seitenwände der ersten und zweiten Schichtenfolge ausgebildet, wird jeweils eine zweite Seitenwand-Schicht einer zweiten Dicke aus einem zweiten elektrisch isolierenden Material auf zumindest einem Teil-Bereich der ersten Seitenwand-Schichten der ersten und zweiten Schichtenfolge ausgebildet und werden die zweiten Seitenwand-Schichten von den ersten Schichtenfolgen entfernt.
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| 申请公布号 |
WO03098694(A1) |
申请公布日期 |
2003.11.27 |
| 申请号 |
WO2003DE01581 |
申请日期 |
2003.05.15 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG;HAGEMEYER, PETER;LANGHEINRICH, WOLFRAM |
发明人 |
HAGEMEYER, PETER;LANGHEINRICH, WOLFRAM |
| 分类号 |
H01L27/088;H01L21/265;H01L21/8234;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L27/10;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L27/115;H01L21/824 |
主分类号 |
H01L27/088 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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