| 主权项 |
1.一种反应室内晶圆传送之校准方法,其中该反应室至少包括一晶圆座位于该反应室内、一干涉仪终点侦测器(IED)位于该反应室上、以及一机械手臂(Robot),且该反应室内晶圆传送之校准方法至少包括:利用该机械手臂传送一校准晶圆于该反应室之该晶圆座上,而该校准晶圆之中央区域上至少包括复数个介电薄膜区,其中每一该些介电薄膜区具有一波长选择率,且每一该些介电薄膜区与该校准晶圆之中心有相对应之一距离;从该干涉仪终点侦测器向该校准晶圆发射一入射光,藉以使得该校准晶圆产生相对应之一反射光射向该干涉仪终点侦测器,并获得相对应之一反射讯号;比对该反射讯号与每一该些介电薄膜区之关系,藉以获得该校准晶圆的一位置;以及根据该校准晶圆的该位置进行该机械手臂之一校准步骤。2.如申请专利范围第1项所述之反应室内晶圆传送之校准方法,其中该干涉仪终点侦测器系位于该晶圆座之正上方。3.如申请专利范围第1项所述之反应室内晶圆传送之校准方法,其中该干涉仪终点侦测器系位于该晶圆座之侧上方。4.如申请专利范围第1项所述之反应室内晶圆传送之校准方法,其中该干涉仪终点侦测器更至少包括一光源以及一讯号板光谱仪(Signal Board Spectrometer)。5.如申请专利范围第4项所述之反应室内晶圆传送之校准方法,其中该干涉仪终点侦测器之该光源为一宽频(Board Band)光源。6.如申请专利范围第4项所述之反应室内晶圆传送之校准方法,其中该反射光系利用一光纤电缆(Optical Fiber Cable)传输至该干涉仪终点侦测器之该讯号板光谱仪。7.如申请专利范围第4项所述之反应室内晶圆传送之校准方法,其中比对该反射讯号与每一该些介电薄膜区之关系的步骤系比对该反射讯号之一反射讯号强度値与每一该些介电薄膜区之该波长选择率。8.如申请专利范围第7项所述之反应室内晶圆传送之校准方法,其中该反射光之该反射讯号强度値系利用该干涉仪终点侦测器之该讯号板光谱仪所获得。9.如申请专利范围第1项所述之反应室内晶圆传送之校准方法,其中该晶圆座系由一静电垫片(ESC)所构成。10.如申请专利范围第9项所述之反应室内晶圆传送之校准方法,其中该静电垫片中更至少包括一气流冷却装置。11.如申请专利范围第10项所述之反应室内晶圆传送之校准方法,其中该气流冷却装置系利用氮气气流。12.如申请专利范围第1项所述之反应室内晶圆传送之校准方法,其中每一该些介电薄膜区之该波长选择率的频宽范围约20毫微米。13.如申请专利范围第1项所述之反应室内晶圆传送之校准方法,其中每一该些介电薄膜区之该波长选择率皆不相同。14.如申请专利范围第1项所述之反应室内晶圆传送之校准方法,其中该校准晶圆之形成至少包括:形成复数个介电薄膜滤片于一透明基材上;以及将该些介电薄膜滤片附着于一晶圆上,藉以在该晶圆上形成该些介电薄膜区。15.如申请专利范围第1项所述之反应室内晶圆传送之校准方法,其中该校准晶圆之形成至少包括形成复数个介电薄膜于一晶圆上,藉以在该晶圆上形成该些介电薄膜区。16.如申请专利范围第1项所述之反应室内晶圆传送之校准方法,其中比对该反射讯号与每一该些介电薄膜区之关系的步骤,更至少包括制作一表格,且该表格系利用每一该些介电薄膜区与该校准晶圆之中心之该距离以及每一该些介电薄膜区之该波长选择率所制作。17.一种反应室内晶圆传送之校准方法,其中该反应室至少包括一晶圆座位于该反应室内、一干涉仪终点侦测器位于该反应室上、以及一机械手臂,且该千涉仪终点侦测器至少包括一光源以及一讯号板光谱仪,而该反应室内晶圆传送之校准方法至少包括:利用该机械手臂传送一校准晶圆于该反应室之该晶圆座上,且该校准晶圆之中央区域上至少包括复数个介电薄膜区,其中每一该些介电薄膜区具有一波长选择率,且每一该些介电薄膜区之该波长选择率皆不相同,而每一该些介电薄膜区与该校准晶圆之中心有一相对距离;从该干涉仪终点侦测器之该光源向该校准晶圆发射一入射光,藉以使得该校准晶圆产生相对应之一反射光射回该干涉仪终点侦测器;将该反射光传输至该干涉仪终点侦测器之该讯号板光谱仪,藉以获得相对应之一反射讯号强度値;比对该反射讯号强度値与每一该些介电薄膜区之该波长选择率,藉以获得该校准晶圆的一位置;以及根据该校准晶圆的该位置进行该机械手臂之一校准步骤。18.如申请专利范围第17项所述之反应室内晶圆传送之校准方法,其中该干涉仪终点侦测器系位于该晶圆座之正上方。19.如申请专利范围第17项所述之反应室内晶圆传送之校准方法,其中该干涉仪终点侦测器系位于该晶圆座之侧上方。20.如申请专利范围第17项所述之反应室内晶圆传送之校准方法,其中该干涉仪终点侦测器之该光源为一宽频光源。21.如申请专利范围第17项所述之反应室内晶圆传送之校准方法,其中该反射光系利用一光纤电缆传输至该干涉仪终点侦测器之该讯号板光谱仪。22.如申请专利范围第17项所述之反应室内晶圆传送之校准方法,其中该晶圆座系由一静电垫片所构成。23.如申请专利范围第22项所述之反应室内晶圆传送之校准方法,其中该静电垫片更至少包括一气流冷却装置。24.如申请专利范围第23项所述之反应室内晶圆传送之校准方法,其中该气流冷却装置系利用氦气气流。25.如申请专利范围第17项所述之反应室内晶圆传送之校准方法,其中每一该些介电薄膜区之该波长选择率的频宽范围约20毫微米。26.如申请专利范围第17项所述之反应室内晶圆传送之校准方法,其中比对该反射讯号强度値与每一该些介电薄膜区之该波长选择率的步骤更至少包括制作一表格,且该表格系利用每一该些介电薄膜区与该校准晶圆之中心之该相对距离以及每一该些介电薄膜区之该波长选择率所制作。27.如申请专利范围第17项所述之反应室内晶圆传送之校准方法,其中该校准晶圆之形成至少包括:形成复数个介电薄膜滤片于一透明基材上;以及将该些介电薄膜滤片附着于一晶圆上,藉以在该晶圆上形成该些介电薄膜区。28.如申请专利范围第17项所述之反应室内晶圆传送之校准方法,其中该校准晶圆之形成至少包括形成复数个介电薄膜于一晶圆上,藉以在该晶圆上形成该些介电薄膜区。图式简单说明:第1图为绘示一般晶圆座之上视图;第2图为绘示第1图之晶圆座的剖面放大图;第3图为绘示晶圆偏离晶圆座的剖面放大图;第4图为绘示本发明之一较佳实施例之校准晶圆的上视图;以及第5图为绘示本发明之一较佳实施例之晶圆传送的校准示意图。 |
