METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND SEMICONDUCTOR COMPONENT PRODUCED BY THE SAME
摘要
<p>Für ein Halbleiter-Bauelement mit einer zumindest annähernd T-förmigen Elektrode wird ein Verfahren zur Erzeugung eines präzise skalierbaren Gatekopfes und zur Verringerung parasitärer Kapazitäten angegeben.</p>
