| 摘要 |
<p>Auf der Grundschicht (3) wird in einem ersten Verfahrensschritt ein Photolack zur Erzeugung einer Photolackschicht (9) aufgebracht. Eine, einer vorgegebenen Oberflächenendstrukturierung angepasste, maskierte Belichtung (13) der Photolackschicht (9) wird in einem zweiten Verfahrensschritt vorgenommen. In einem dritten Verfahrensschritt werden mittels Entwicklung Teile der Photolackschicht (9) entfernt, so dass eine Photolackteilgebiete (25) als Opferschichtgebiete aufweisende Oberflächenanfangsstrukturierung erhalten wird. In einem vierten Verfahrensschritt wird eine die nun erhaltene Oberflächenanfangsstrukturierung bedeckende Beschichtung (29, 31), vorzugsweise als Wechselschichtsystem, aufgebracht, insbesondere aufgesputtert. In einem fünften Verfahrensschritt wird eine Energiebeaufschlagung der Oberflächenanfangsstrukturierung zur Destabilisierung der Opferschichtgebiete (25) vorgenommen. In einem sechsten Verfahrensschritt wird die Oberflächenanfangsstrukturierung bei einer vorgegebenen Bearbeitungstemperatur mit einem Hochdruckflüssigkeitsstrahl (33) beaufschlagt, wodurch zumindest Teile der die Opferschichtgebiete (25) bedeckenden Beschichtung (29) zur Erzeugung der Oberflächenendstrukturierung mechanisch entfernt bzw. wenigstens aufgebrochen werden.</p> |
