淀积所选厚度的层间电介质以在半导体片上形成总体最佳平面性

摘要

一种在半导体片上以所选定的厚度淀积层间电介质材料以获得最佳总体平面性的电介质层。根据淀积及溅射的物理学及半导体器件中金属件的最小几何尺寸发展了一种淀积二氧化硅层的模式。该模式包括首先确定金属件的几何参数。然后根据最关键的金属线之间深宽比计算淀积率和溅射率之比。根据计算所得之比可确定最佳总体平面性的薄膜厚度。然后用HDP－CVD技术在金属件(115，117，119)上淀积电介质材料(121，123)。在淀积过程中，用计算所得之比在预先确定淀积的厚度处中止淀积从而实现可以获得总体平面性的最佳厚度。

主权项

1.一种淀积所选电介质材料的厚度的方法，其特征在于，该方法包括：确定在半导体片表面上的一系列金属件的一组几何参数，根据该组半导体片的几何参数计算化学气相淀积率与溅射率之比，根据计算所得的比确定淀积薄膜的厚度，在金属件上淀积电介质材料，在淀积过程中当达到了计算所得的比，就停止淀积，从而达到半导体表面总体平面性的最佳厚度。