利用复合氧化膜的槽式隔离法

摘要

本发明涉及一种制造半导体器件的方法，尤其涉及一种使用两种类型的氧化膜的槽式隔离法，以便释放半导体衬底隔离区中的应力。该方法包括：在具有多个槽的集成电路衬底上形成由应力特性不同的第1和第2层叠氧化膜组成的槽充填氧化膜，该层叠的第1氧化膜充填所述槽，该层叠的第2氧化膜位于槽外面的第1氧化膜之上；对该槽充填氧化膜进行增密处理；和对该槽充填氧化膜进行平面化处理，以便在该槽区内形成槽充填层。该方法能提高半导体器件的集成度，减少槽充填氧化膜中的应力和由槽充填氧化膜施加到半导体衬底内的应力。

主权项

1.一种用于集成电路器件的槽式隔离法，包括下述步骤：在具有多个槽的集成电路衬底上形成由应力特性不同的第1和第2层叠氧化膜组成的槽充填氧化膜，该层叠的第1氧化膜充填所述槽，该层叠的第2氧化膜位于槽外面的第1氧化膜之上；对该槽充填氧化膜进行增密处理；和对该槽充填氧化膜进行平面化处理，以便在该槽区内形成槽充填层。