| 发明名称 | ZnS－SiO<SUB>2</SUB>溅射靶及使用该靶而形成了ZnS－SiO<SUB>2</SUB>相变化型光盘保护膜的光记录介质 | ||
| 摘要 | 本发明是以含有0.001～5重量％的Na、K或选自其氧化物的一种或多种氧化物作为添加剂为特征的ZnS－SiO<SUB>2</SUB>溅射靶。通过能够以低成本稳定地产出其中的SiO<SUB>2</SUB>晶粒微细、具有95％或95％以上的高密度的靶，获得了一种用于形成光盘保护膜的溅射靶，所述的保护膜能够进一步地提高成膜的均一性，并增加生产率，还获得了一种光记录介质，在其上通过使用ZnS－SiO<SUB>2</SUB>溅射靶而形成了ZnS－SiO<SUB>2</SUB>相变化型光盘保护膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1455825A | 申请公布日期 | 2003.11.12 |
| 申请号 | CN02800011.0 | 申请日期 | 2002.01.16 |
| 申请人 | 株式会社日矿材料 | 发明人 | 矢作政隆;高见英生 |
| 分类号 | C23C14/34;C23C14/08;G11B7/24;G11B7/26 | 主分类号 | C23C14/34 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 丁香兰;丁业平 |
| 主权项 | 1.一种ZnS-SiO2溅射靶，其特征是含有0.001～5重量％的Na、K或选自其氧化物的一种或多种氧化物作为添加剂。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||