| 发明名称 | 掩膜式只读存储器的编码方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种掩膜(mask)式只读存储器的编码方法，首先，提供一半导体基底，上述半导体基底形成有掩膜式只读存储单元阵列。接着在上述半导体基底上方形成一粗糙粘附层。然后在上述粗糙粘附层表面形成一编码掩膜，上述编码掩膜覆盖欲保护的存储器单元。其次，利用上述编码掩膜为遮蔽物，并且植入离子于上述未被遮蔽部分的半导体基底，以进行编码。 | ||
| 申请公布号 | CN1455450A | 申请公布日期 | 2003.11.12 |
| 申请号 | CN02118929.3 | 申请日期 | 2002.04.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 许丹 |
| 分类号 | H01L21/8246 | 主分类号 | H01L21/8246 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 1.一种掩膜式只读存储器的编码方法，包括下列步骤：提供一半导体基底，上述半导体基底形成有掩膜式只读存储单元阵列；在上述半导体基底上方形成一粗糙粘附层；在上述粗糙粘附层表面形成一编码掩膜；利用上述编码掩膜为遮蔽物，并且植入离子于上述未被遮蔽部分的半导体基底，以进行编码。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||