| 主权项 |
1.一种修补介电层的方法,其步骤包括:在具有至少一第一导体层以及一第一介电层的一半导体基底上,对该第一介电层施以表面研磨制程,并产生至少一凹孔;在该第一介电层上形成一第二介电层,用以覆盖该凹孔;在该第二介电层上形成一旋涂式玻璃层;进行部分回蚀,用以平坦该旋涂式玻璃层;以及在该旋涂式玻璃层上形成一第三介电层。2.如申请专利第1项所述之方法,其中在该第二介电层上形成一旋涂式玻璃层之后,更包括进行该旋涂式玻璃层的固化。3.如申请专利第1项所述之方法,其中在该旋涂式玻璃层上形成一第三介电层之后,更包括在该第三介电层上形成第二导体层。4.如申请专利第1或3项所述之方法,其中该第一导体层及第二导体层为金属。5.如申请专利第1项所述之方法,其中该第一介电层、第二介电层及第三介电层为二氧化矽。6.一种修补介电层的方法,其步骤包括:在具有至少一第一导体层以及一第一介电层的一半导体基底上,对该第一介电层施以表面研磨制程,并产生至少一凹孔;在该第一介电层上形成一第二介电层,用以覆盖该凹孔;在该第二介电层上形成一薄旋涂式玻璃层;以及在该旋涂式玻璃层上形成一第三介电层。7.如申请专利第6项所述之方法,其中在该第二介电层上形成一薄旋涂式玻璃层之后,更包括进行该薄旋涂式玻璃层的固化。8.如申请专利第6项所述之方法,其中在该薄旋涂式玻璃层上形成一第三介电层之后,更包括在该第三介电层上形成第二导体层。9.如申请专利第6或8项所述之方法,其中该第一导体层及第二导体层为金属。10.如申请专利第6项所述之方法,其中该第一介电层、第二介电层及第三介电层为二氧化矽。图式简单说明:第1a~1c图为当该介电层内若含有颗粒的话,在接下来的化学机械研磨平坦化时,由于该颗粒会随着研磨而掉落,因而会在该介电层表面形成凹孔的示意图。第2a~2f图为本发明之第1实施例示意图。第3a~3e图为本发明之第2实施例示意图。 |
