| 主权项 |
1.一种QFN型多晶片半导体元件,其包括:一金属载体,其系由二(含)以上晶片承载座以特定型态间隔排列而成之四方形体,该金属载体相对应的侧边具有复数呈间隔排列状的引脚,且于该晶片承载座及引脚之底面特定区域形成半蚀刻的凹陷部;数晶片,系黏着于该金属载体预定的晶片承载座上,各晶片上之焊点以金属线连接至金属载体预定的位置构成电性连接;以及一胶体,系固设于金属载体具晶片的一侧,将晶片包覆于内,胶体外缘与各引脚外缘平齐,晶片承载座以及其侧边引脚之底面显露于胶体外,凹陷部为胶体填充其中,并藉胶体的区隔,让各引脚及晶片承载座外露于胶体外之底面为各自独立不相连,构成一具有多晶片之QFN型半导体元件。2.如申请专利范围第1项所述之QFN型多晶片半导体元件,其中该复数引脚中,预定的引脚与晶片承载座相连,预定的引脚为独立状。3.如申请专利范围第2项所述之QFN型多晶片半导体元件,其中该形成于晶片承载座之凹陷部位于晶片承载座之底面四周,该形成于各引脚之凹陷部位于各引脚底面之外端缘处。4.如申请专利范围第2或3项所述之QFN型多晶片半导体元件,其中该不与晶片承载座相连之独立引脚中,预定的相邻独立引脚藉一长条片相连。5.如申请专利范围第4项所述之QFN型多晶片半导体元件,其中该长条片整个底面形成半蚀刻的凹陷部。6.如申请专利范围第1项所述之QFN型多晶片半导体元件,其中金属载体之顶面镀设一选自银、镍钯合金及镍钯金合金群组中之一金属的电镀层。7.如申请专利范围第1项所述之QFN型多晶片半导体元件,其中金属载体两相对应的侧边具有复数呈间隔排列状的引脚。8.如申请专利范围第1项所述之QFN型多晶片半导体元件,其中金属载体四周具有复数呈间隔排列状的引脚。图式简单说明:第一图系本创作第一种实施例之平面示意图。第二图系第一图所示实施例中之金属载体俯视立体示意图。第三图系第一图所示实施例中之金属载体仰视立体示意图。第四图系第一图所示实施例中之剖面示意图。第五图系第一图所示实施例之底视平面示意图。第六图系本创作第二种实施例之平面示意图。第七图系第六图所示实施例中之金属载体俯视立体示意图。第八图系第六图所示实施例中之金属载体仰视立体示意图。 |
