| 主权项 |
1.一种晶圆背面研磨制程,包含:提供一晶圆,该晶圆系具有一主动面及一背面;以吸附固定方式装载﹝loading﹞该晶圆于一研磨盘,使得该晶圆之背面显露出;在该研磨盘上研磨该晶圆之背面;在该研磨盘上贴附一定位件于该晶圆之背面,当贴附时,该研磨盘系保持对晶圆之吸附力;及卸下﹝unloading﹞该晶圆,藉由去除该研磨盘之吸附力,以供该定位件移动该晶圆。2.如申请专利范围第1项所述之晶圆背面研磨制程,其中在提供晶圆之步骤中,该晶圆之主动面系贴附有黏性保护胶带。3.如申请专利范围第1项所述之晶圆背面研磨制程,其中在提供晶圆之步骤中,该晶圆之尺寸系为八寸或十二寸。4.如申请专利范围第1项所述之晶圆背面研磨制程,其中在研磨步骤中,更区分为粗研磨与细研磨。5.如申请专利范围第1或4项所述之晶圆背面研磨制程,其中在研磨步骤中,该晶圆系研磨至12密尔﹝mil﹞以下。6.如申请专利范围第1项所述之晶圆背面研磨制程,其中在研磨步骤之后,更包含有一清洁晶圆之步骤。7.如申请专利范围第1项所述之晶圆背面研磨制程,其中在贴附步骤之中,该定位件系包含有一定位环及一定位胶带,其中该定位环系具有一大于该晶圆尺寸之开口,该定位胶带系贴附于该定位环并经由该开口贴附该晶圆之背面。8.如申请专利范围第7项所述之晶圆背面研磨制程,其中在贴附步骤之中,先定位该定位环于该研磨盘上,再以滚压方式将该定位胶带同时贴附该定位环及该晶圆之背面。9.一种晶圆背面研磨设备,包含有:至少一研磨盘,用以吸附固定一晶圆;一装载工作站,用以接收该研磨盘,以装载该晶圆于该研磨盘;一研磨工作站,用以接收该研磨盘并研磨该晶圆之背面;一定位件贴附工作站,用以接收该研磨盘并贴附一定位件于该晶圆之背面;及一卸下工作站,用以接收该研磨盘并去除该研磨盘之吸附力。10.如申请专利范围第9项所述之晶圆背面研磨设备,其中该研磨工作站系包含有粗研磨工作玷与细研磨工作站。11.如申请专利范围第9项所述之晶圆背面研磨设备,其中该定位件贴附工作站系包含有晶圆清洁装置。12.如申请专利范围第9或11项所述之晶圆背面研磨设备,其中该定位件贴附工作站所提供之定位件系包含有一定位环及一定位胶带,该定位环系具有一大于该晶圆尺寸之开口,该定位胶带系贴附于该定位环并经由该开口贴附该晶圆之背面。13.如申请专利范围第12项所述之晶圆背面研磨设备,其中该定位件贴附工作站系包含有一滚压装置,用以滚压该定位胶带,使得该定位胶带同时贴附该定位环及该晶圆之背面。14.如申请专利范围第9项所述之晶圆背面研磨设备,其中该装载工作站与该卸下工作站系为同一工作站。15.一种晶圆背面研磨设备,其包含有一用以吸附固定晶圆之研磨盘,该研磨台系可活动于装载工作站、研磨工作站及定位件贴附工作站之间,其中该定位件贴附工作站系提供一定位件于该研磨盘上,该定位件系包含有一定位环及一定位胶带,该定位环系具有一大于该晶圆尺寸之开口,该定位胶带系贴附于该定位环并经由该开口贴附该晶圆之背面。16.如申请专利范围第15项所述之晶圆背面研磨设备,其中该研磨盘系以沿一轴心旋动于装载工作站、研磨工作站友定位件贴附工作站之间。17.一种晶圆背面研磨制程,系至少包含有装载晶圆、研磨晶圆及定位件贴附步骤,其中上述步骤系均在同一研磨盘实施且该晶圆之背面系呈显露,其特征在于在定位件贴附步骤中,该晶圆系吸附于研磨盘,使得该定位件平整贴附于该晶圆之背面。18.如申请专利范围第17项所述之晶圆背面研磨制程,其特征在于,在定位件贴附步骤中,该研磨盘上提供有一定位件,该定位件系包含有一定位环及一定位胶带,该定位环系具有一大于该晶圆尺寸之开口,该定位胶带系贴附于该定位环并经由该开口贴附该晶圆之背面,使得在后续搬运过程不需要接触晶圆之背面。19.如申请专利范围第17或18项所述之晶圆背面研磨制程,其特征在于,在定位件贴附步骤中该定位件系为适用于晶圆切割制程之定位件。图式简单说明:第1图:传统晶圆背面研磨及切割制程之流程示意图;第2图:在传统晶圆背面研磨制程中,在研磨盘上晶圆之截面示意图;第3图:依据本发明,一晶圆背面研磨及切割制程之流程示意图;第4A至4G图:依据本发明,在晶圆背面研磨制程及后续制程中晶圆之截面示意图;第5图:依据本发明,一晶圆背面研磨设备之工作站流程示意图;及第6图:依据本发明,一晶圆背面研磨设备之示意图。 |
