Halbleiterspeichervorrichtung

摘要

Eine Speicherzelle (1) ist durch einen Lesezugriffstransistor (6) zum Datenlesen, einen Wiederherstellungszugriffstransistor (7) zum Datenwiederherstellen und einen Speicherkondensator (8) zum Datenspeichern gebildet. Der Lesezugriffstransistor koppelt den Speicherkondensator an eine Lesebitleitung (SBL) gemäß einem Signal auf einer Lesewortleitung (SWL). Der Wiederherstellungszugriffstransistor koppelt die Speicherkapazität an eine Wiederherstellungsbitleitung (RBL), die separat von der Lesebitleitung angeordnet ist, gemäß einem Signal auf einer Wiederherstellungswortleitung (RWL). Elektrische Ladungen in dem Speicherkondensator werden an einem Leseverstärker (2) über die Lesebitleitung übertragen, und die Lesedaten in einem Leseverstärker werden an den ursprünglichen Speicherkondensator durch einen Wiederherstellungsverstärker (3) und den Wiederherstellungszugriffstransistor übertragen. Ausgangssignalleitungen des Leseverstärkers sind elektrisch von den Lese- und Wiederherstellungsbitleitungen isoliert. Dadurch ist es möglich, die Zugriffszeit einer Halbleiterspeichervorrichtung zu reduzieren.