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<p>La présente invention concerne un procédé pour usiner une tranche de semi-conducteur (100), comprenant tout d'abord un enlèvement mécanique de matériau semi-conducteur de la tranche (100) selon un motif prédéterminé, des défauts (116) se formant sur la tranche de semi-conducteur (100) le long du motif prédéterminé. Les défauts sont ensuite éliminés grâce à l'enlèvement de matériau semi-conducteur le long d'une surface du motif prédéterminé, qui a été formée par l'enlèvement mécanique de matière.</p> |
