| 摘要 |
本发明的目的之一是以高良率提供一种具有良好的电特性的微细的电晶体。另外,本发明的目的之一是在包括该电晶体的半导体装置中也实现高性能化、高可靠性化及高生产化。在将氧化物半导体膜微细加工为岛状时,藉由使用硬遮罩可以抑制氧化物半导体膜的端部的凹凸。明确而言,在氧化物半导体膜上形成硬遮罩;在硬遮罩上形成光阻剂;进行曝光以形成光阻遮罩;使用光阻遮罩对硬遮罩进行加工;使用所加工的硬遮罩对氧化物半导体膜进行加工;去除光阻遮罩及所加工的硬遮罩;形成接触于所加工的氧化物半导体膜的源极电极及汲极电极;在源极电极及汲极电极上形成闸极绝缘膜;以及在闸极绝缘膜上形成与氧化物半导体膜重叠的闸极电极。 |
