| 发明名称 | 中高压阳极铝箔扩面侵蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种中高压阳极铝箔扩面侵蚀方法，包括电化学扩面侵蚀和化学扩面侵蚀，电化学侵蚀是在含有硫酸和氯离子的混和溶液中进行，施加在铝箔上的电流为直流电流。化学侵蚀是在含有铜离子的盐酸溶液中进行，溶液中铜离子的含量为10～200ppm。本发明具有工艺、设备简单，侵蚀反应速度快，生产效率高，生产制备的铝箔具有电容量高，强度大，质量和电容量稳定等多方面的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN1126830C | 申请公布日期 | 2003.11.05 |
| 申请号 | CN99114961.0 | 申请日期 | 1999.06.25 |
| 申请人 | 四川大学;南通海星电子有限公司 | 发明人 | 阎康平;严季新 |
| 分类号 | C25F3/04 | 主分类号 | C25F3/04 |
| 代理机构 | 成都科海专利事务有限责任公司 | 代理人 | 吕建平 |
| 主权项 | 1.一种中高压阳极铝箔扩面侵蚀方法，先进行电化学侵蚀，然后再进行化学侵蚀，其特征是：(1)电化学侵蚀是在硫酸和氯离子的混和溶液中进行，施加在铝箔上的电流为直流电流，混和溶液含有重量百分比为4.5～17.5％的硫酸，重量百分比为0.75～10.50％的氯离子，溶液温度为60～76℃；(2)化学侵蚀是在含有铜离子的盐酸溶液中进行，盐酸的浓度(重量百分比)为1.5～12％，溶液中铜离子的浓度为10～200ppm，溶液温度为50～70℃。 | ||
| 地址 | 610065四川省成都市磨子桥 | ||