裂痕阻断方法

摘要

本发明涉及裂痕阻断方法，基本上阻止了裂痕和凹口沿切割槽扩展入集成电路的有效区。在芯片边缘附近的切割槽内制作出介电层厚度的不连续区，从而形成裂痕阻断。不连续区导致了介电层厚度的增加和/或减少。

主权项

1.一种在半导体器件中形成裂痕阻断的方法，该方法包括以下步骤：提供一半导体晶片，该半导体晶片包括形成在其上的多个集成电路，其中所述多个集成电路通过切割槽道分隔开，该槽道具有形成在其上的由介电材料构成的介电层，其特征在于，该方法还包括以下步骤：在槽道中的介电材料中形成不连续区，以减小在分割晶片以分隔开所述多个集成电路的过程中所造成的裂纹沿所述介电层的扩展，其中，所述不连续区的形成是作为制造集成电路的方法的一部分；以导电材料填充所述不连续区；以及在所述介电层之上形成一钝化层，所述钝化层由不同于所述介电材料的钝化材料形成。