具有间隙的铁电电容

摘要

本发明公开了一种具有间隙的铁电电容及其制造方法。本发明的铁电电容具有一扩散挡层，在进行高温工艺时，可保护钨插塞，防止高温氧扩散进入而与钨插塞反应，形成一层钨氧化层，且另一方面本发明的结构具有导体间隙，可使得本发明具有自对准功效，亦即通过此间隙结构来与导体层做电性连接，只要此导体层能与接触窗钨插塞耦接，即不会影响其电性表现。

主权项

1.一种具有间隙的铁电电容的制造方法，其特征在于包括：提供一半导体基底；在半导体基底上形成第一导体层；在第一导体层上形成一扩散挡层；在扩散挡层上形成第二导体层；在第二导体层上形成一铁电材料层；在铁电材料层上形成一图案化光阻层，以暴露出铁电电容下电极大小；以图案化光阻层为罩幕蚀刻扩散挡层、铁电材料层与第二导体层；移除图案化光阻层；在该完成蚀刻的半导体基底上形成一第三导电层；对第三导体层进行非等向性的干蚀刻，以暴露出铁电材料层的上表面并形成一间隙；在间隙、铁电材料层及半导体基底表面上形成一绝缘层间隙，且该绝缘层中具有一仅暴露出铁电材料层上表面的开口；以及在开口与绝缘层上形成第四导体层，以作为铁电电容的上电极。