| 发明名称 | 形成半导体器件接触塞的方法 | ||
| 摘要 | 形成半导体器件接触塞的方法，包括在绝缘层上形成导电层填充接触孔的步骤。该方法还包括：在形成接触塞之后，通过深腐蚀或CMP工艺腐蚀导电层，平面化-腐蚀绝缘层上表面和接触塞，直到暴露绝缘层的上表面。或者用CMP工艺同时平面化-腐蚀导电层和绝缘层，以形成接触塞并平面化绝缘层的上表面。 | ||
| 申请公布号 | CN1127123C | 申请公布日期 | 2003.11.05 |
| 申请号 | CN98102092.5 | 申请日期 | 1998.06.11 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 尹普彦;丁寅权;李元成 |
| 分类号 | H01L21/31;H01L21/3205;H01L21/28;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体器件接触塞的方法，包括步骤：在其中有多个扩散区的半导体衬底上形成导电结构；在包括导电结构的半导体衬底上形成绝缘层；腐蚀绝缘层直到暴露至少一个扩散区，以形成接触孔；在绝缘层上淀积导电层，用导电层填充接触孔；腐蚀导电层直到暴露绝缘层的上表面，以形成接触塞，腐蚀导电层的步骤包括深腐蚀导电层以形成凹陷接触塞，其中凹陷接触塞在平面化—腐蚀过程中用作腐蚀阻止层；及用平面化—腐蚀工艺方法腐蚀包括接触塞的绝缘层上表面，其中，接触塞和绝缘层的上表面都被平面化。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||