具有简单保护结构的半导体器件及其制造过程

摘要

一个半导体集成电路器件在半导体芯片和球栅阵列之间有一个保护结构，并且该保护结构具有一个粘合在半导体芯片表面的薄的聚酰亚胺膜以及一个覆盖在连接表面焊盘与球栅阵列之间的导电带上的厚的应力缓冲层；当热应力施加在球栅阵列上时，厚的应力缓冲层可使所述球栅阵列移动以吸收该热应力。

主权项

1.一种半导体器件，包括：一个具有连接到形成在主表面上的导电焊盘(21d)的电子元件(21a)的半导体芯片(21)；一个连接到所述导电焊盘以提供电子通路来往于所述导电焊盘的接口(22)；和一个设置在所述主表面上防止所述半导体芯片受热应力影响的保护结构(23)；一个覆盖限定形成于所述应力缓冲层(23b)的每个凹槽的内表面并且电连接到所述导电带之一的第二部分的惰性金属层(33/35)，以及一个叠压在所述惰性金属层上并且粘合到所述焊接球之一的焊接剂层(34/36)；一个设置在所述第二部分与所述惰性金属层之间用来增加所述应力缓冲层厚度的导电布线(32′)；其中所述保护结构(23)包括：一个覆盖所述主表面并且具有第一孔的绝缘层(23a)；和一个比所述绝缘层厚并且具有第二孔的应力缓冲层(23b)；且所述接口(22)包括：形成在所述绝缘层上并且具有分别经过所述第一孔连接到所述导电通路的第一部分的导电带(22d/22e)；安放在所述应力缓冲层中形成的所述第二孔中并且分别通过所述第二孔焊接到所述导电带的第二部分的焊接球(22c)；其中所述保护绝缘层，所述导电带和所述惰性金属层分别是由聚酰亚胺，金属铝和金属钯形成的。