发明名称 |
用于改善光刻装置中线宽控制的系统和方法 |
摘要 |
电磁能量从光刻装置的照明光源发射。发射的电磁能量的一部分,通过照明光学模块。照明光学模块包括具有光瞳平面的一维光学变换单元。有可调整孔径的孔径装置,位置邻近于该光瞳平面,使该一维光学变换单元接收的一部分电磁能量,通过孔径装置的孔径。用该孔径装置把通过照明光学模块的电磁能量角分布,作为照明场位置的函数而调整,从而改善光刻装置中的线宽控制。 |
申请公布号 |
CN1453644A |
申请公布日期 |
2003.11.05 |
申请号 |
CN03122237.4 |
申请日期 |
2003.04.23 |
申请人 |
ASML美国公司 |
发明人 |
詹姆斯·G·查考耶尼斯;斯科特·D·考斯顿 |
分类号 |
G03F7/20;G03F9/00;H01L21/027 |
主分类号 |
G03F7/20 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
蒋世迅 |
主权项 |
1.一种光刻装置,包括:照明光源;接收所述照明光源发射的电磁能量的照明光学模块,所述照明光学模块有部分相干性调整器模块,该部分相干性模块包含:有光瞳平面的一维光学变换单元,和有孔径的孔径装置,用于改变进入所述一维光学变换单元的沿光轴的电磁能量角分布,所述孔径装置的孔径,位置邻近于所述一维光学变换单元的光瞳;位置邻近于所述照明光学模块的掩模版台,其中,从所述照明光学模块出射的电磁能量,照亮所述掩模版台夹持的掩模版的一部分;晶片台;和像平面邻近于所述晶片台的投影光学模块,所述投影光学模块,位置邻近于所述掩模版台并邻近于所述晶片台,其中,通过所述掩模版台夹持的掩模版的电磁能量,进入所述投影光学模块,并被所述投影光学模块成像在所述晶片台夹持的晶片光敏基片上,和其中,调整所述孔径装置的孔径形状,以控制邻近于所述晶片台的像平面上的电磁能量角分布。 |
地址 |
美国康涅狄格 |