发明名称 用于改善光刻装置中线宽控制的系统和方法
摘要 电磁能量从光刻装置的照明光源发射。发射的电磁能量的一部分,通过照明光学模块。照明光学模块包括具有光瞳平面的一维光学变换单元。有可调整孔径的孔径装置,位置邻近于该光瞳平面,使该一维光学变换单元接收的一部分电磁能量,通过孔径装置的孔径。用该孔径装置把通过照明光学模块的电磁能量角分布,作为照明场位置的函数而调整,从而改善光刻装置中的线宽控制。
申请公布号 CN1453644A 申请公布日期 2003.11.05
申请号 CN03122237.4 申请日期 2003.04.23
申请人 ASML美国公司 发明人 詹姆斯·G·查考耶尼斯;斯科特·D·考斯顿
分类号 G03F7/20;G03F9/00;H01L21/027 主分类号 G03F7/20
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 蒋世迅
主权项 1.一种光刻装置,包括:照明光源;接收所述照明光源发射的电磁能量的照明光学模块,所述照明光学模块有部分相干性调整器模块,该部分相干性模块包含:有光瞳平面的一维光学变换单元,和有孔径的孔径装置,用于改变进入所述一维光学变换单元的沿光轴的电磁能量角分布,所述孔径装置的孔径,位置邻近于所述一维光学变换单元的光瞳;位置邻近于所述照明光学模块的掩模版台,其中,从所述照明光学模块出射的电磁能量,照亮所述掩模版台夹持的掩模版的一部分;晶片台;和像平面邻近于所述晶片台的投影光学模块,所述投影光学模块,位置邻近于所述掩模版台并邻近于所述晶片台,其中,通过所述掩模版台夹持的掩模版的电磁能量,进入所述投影光学模块,并被所述投影光学模块成像在所述晶片台夹持的晶片光敏基片上,和其中,调整所述孔径装置的孔径形状,以控制邻近于所述晶片台的像平面上的电磁能量角分布。
地址 美国康涅狄格