能有效进行氢钝化的半导体器件的制造方法

摘要

一种制造半导体器件的方法，包含的步骤有：在硅基片上热生长由氧化硅构成的第一绝缘层(13)；在第一绝缘层上形成栅电极(14)；在栅电极上形成第二绝缘层(16)；在第二绝缘层上形成电容器下电极(21)；在电容器下电极上形成电容器介电层(22)；在电容器介电层上形成一电容器上电极(23)；在电容器上电极上形成第三绝缘层(24)；在第三绝缘层形成之后，以第一温度进行氢钝化；在氢钝化完成之后，在第三绝缘层上形成第一金属布线层(31)；以比第一温度低的第二温度，在第一金属布线层上形成第四绝缘层(32)；在第四绝缘层上形成第二金属布线层(41)；且以比第一温度低的第三温度，在第二金属布线层上形成钝化层(42)。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，其中包含的步骤有：在一硅基片上热生长由氧化硅构成的第一绝缘层(13)；在所述的第一绝缘层上形成一栅电极(14)；在所述的栅电极上形成一第二绝缘层(16)；在所述的第二绝缘层上形成一电容器下电极(21)；在所述的电容器下电极上形成一电容器介电层(22)；在所述的电容器介电层上形成一电容器上电极(23)；在所述的电容器上电极上形成一第三绝缘层(24)；在所述的第三绝缘层形成之后，以一第一温度进行氢钝化；在所述的氢钝化完成之后，在所述的第三绝缘层上形成一第一金属布线层(31)；以比所述的第一温度低的第二温度，在所述的第一金属布线层上形成一第四绝缘层(32)；在所述的第四绝缘层上形成一第二金属布线层(41)；且以比所述的第一温度低的一第三温度，在所述的第二金属布线层上形成一钝化层(42)。