切削半导体晶圆之方法及设备

摘要

利用电浆蚀刻制程来切削半导体晶圆的方法和设备此方法由施加一图案化罩幕至一晶圆上之积体电路开始。该图案覆盖该电路并且露出晶粒(dice)之间的缝隙(street)。接着，该方法沈积一均匀的胶黏材料层在一载体晶圆上。欲切削的晶圆藉由胶黏材料固定在载体晶圆上，该胶黏材料夹在该欲切削晶圆的底面和该载体晶圆的上表面之间。该载体晶圆、胶黏材料和欲切削晶圆之结合组件被安置在能够蚀刻矽的蚀刻反应器中。当反应气体被施加至该结合组件时，蚀刻电浆会消耗位在该等缝隙中之未受保护的矽并且切削该晶圆成为个别的积体电路晶片。该载体晶圆然后从蚀刻腔室移除，但晶粒仍然附着在该胶黏层上。一知的制程被用来移除该胶黏材料以及任何罩幕材料并将晶粒从该载体晶圆分离。

主权项

1.一种用来切削一包含复数个积体电路之半导体晶圆的方法,该方法至少包含:形成一图案化罩幕在一半导体晶圆上,该罩幕含有一覆盖并保护该等积体电路的层并且界定出在该等积体电路之间的裂隙;以及透过在该罩幕上之该等裂隙来电浆蚀刻该晶圆,以形成一围绕每一个积体电路的沟槽。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之沟槽延伸穿过该半导体晶圆并且将个别的积体电路彼此分离。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之沟槽系部分延伸穿过该半导体晶圆,并且该方法进一步包含:施加一力至该半导体晶圆以将个别的积体电路彼此分离。4.如申请专利范围第1项所述之方法,进一步包含:在电浆蚀刻该半导体晶圆之前将该半导体晶圆固定在一载体晶圆上。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之电浆至少包含一含氟气体。6.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该固定步骤进一步包含:施加一胶黏剂在该载体晶圆和该半导体晶圆之一底部之间。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之胶黏剂至少包含一层光阻材料。8.如申请专利范围第4项所述之方法,其中上述之载体晶圆是玻璃、矽或金属。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之半导体晶圆具有任何的结晶方向。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该等裂隙系与在积体电路之间的缝隙对准。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之沟槽系约20微米宽。12.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之胶黏剂提供该半导体晶圆和该载体晶圆间之实质热传输。13.如申请专利范围第1项所述之方法,进一步包含沈积氧化铟锡在该载体晶圆之一底部上。14.一种用来切削一半导体晶圆之设备,该设备至少包含:一载体晶圆,具有与一半导体晶圆相似的外型因子(form factor);一半导体晶圆,具有复数个积体电路区域,其中该等区域系由一罩幕层来保护并且该罩幕层界定半导体晶圆之暴露出的区域;一胶黏剂层,位在该载体晶圆和该半导体晶圆之间。15.如申请专利范围第14项所述之设备,其中上述之胶黏剂系一光阻材料。16.如申请专利范围第14项所述之设备,其中上述之载体晶圆进一步包含一层氧化铟锡在其底部上。17.如申请专利范围第14项所述之设备,其中上述之载体晶圆是由玻璃、矽或金属所制造。18.如申请专利范围第14项所述之设备,其中上述之半导体晶圆具有任何的结晶方向。19.一种用来切削一半导体晶圆的设备,该设备至少包含:一具有与将被切削之半导体晶圆相似的外型因子之载体晶圆,并且系适于在一电浆蚀刻反应器中支持一半导体晶圆。20.如申请专利范围第19项所述之设备,其中上述之载体晶圆系由玻璃、矽或金属所制造。21.如申请专利范围第19项所述之设备,其中上述之载体晶圆具有一表面含有一胶黏剂。22.如申请专利范围第21项所述之设备,其中上述之胶黏剂系一光阻材料。23.如申请专利范围第19项所述之设备,其中上述之载体晶圆具有一表面含有一层氧化铟锡。24.一种用来切削一半导体晶圆的载体晶圆,至少包含:一第一表面,适于在运送期间和在一蚀刻反应器中支持一半导体晶圆;以及一第二表面,适于被支撑在一蚀刻腔室内之一晶圆支撑座。25.如申请专利范围第24项所述之载体晶圆,进一步包含一位于该第一表面上之胶黏剂层。26.如申请专利范围第25项所述之载体晶圆,其中上述之胶黏剂层系一光阻材料。27.如申请专利范围第24项所述之载体晶圆,进一步包含一位于该第二表面上之促进该载体晶圆之静电夹持的材料层。28.如申请专利范围第27项所述之载体晶圆,其中上述之材料层是氧化铟锡。29.如申请专利范围第24项所述之载体晶圆,其中上述之第一表面具有一实质上与一半导体晶圆相似的外型因子。30.如申请专利范围第24项所述之载体晶圆,其系由玻璃、矽、或金属所制造。图式简单说明:第1图为一将要被切削之半导体晶圆的上视图;第2图为一将要被切削之具有一切削罩幕施用在其上之半导体晶圆的上视图;以及第3A-3E图描绘根据本发明之一实施例来切削一半导体晶圆的制程步骤。