| 主权项 |
1.一种借助集成在半导体晶片中的感测器(1)校准一个或多个打线机的方法,由此每个打线机具有一个被挟持在一个角臂上的毛细管(10),由超声波换能器对角臂提供超声波,借助参数P控制超声波换能器及借助第一打线机根据以下步骤确定参考値URef:a1)将无导线或线球的毛细管(10)放置在感测器(1)的接触区(9)上;b1)将接合力施加到毛细管(10)上,该接合力足够地大,以使得在下个步骤中毛细管(10)不会往感测器(1)的接触区(9)上前、后滑动;c1)对超声波换能器提供预定的参数値P1,及一旦进入稳态获得感测器信号的振幅値U1;及d1)将感测器信号的値U1作为参考値URef存储,由此例如当毛细管更换后使打线机的参数P重新校准,或校准另一打线机的参数P以便在接合生产中用参数P的値P2=*P1操作超声波换能器,其中为校正系数,它根据以下步骤来确定:a2)再次地将无导线或线球的毛细管(10)放置在同一感测器(1)或同一类型的不同感测器(1)的接触区(9)上;b2)将相同的接合力施加到毛细管(10)上;及c2)在参数P的控制下操作超声波换能器;及d2)确定校正系数,以使得当値P2=*P1提供给超声波换能器时感测器信号振幅値为値URef。2.如申请专利范围第1项的方法,其中在步骤c2)中,参数値P1被提供给超声波换能器及一旦进入稳态就获得感测器信号的振幅値U;及在步骤d2)中,校正系数被确定为=URef/U。3.如申请专利范围第1项的方法,其中在步骤c2)中参数P的値被改变直到感测器信号的振幅値为値URef及校正系数被确定为=P2/P1。4.如申请专利范围第1项的方法,其中参数P是流过超声波换能器的交流电流或施加于超声波换能器的交流电压。5.如申请专利范围第2项的方法,其中参数P是流过超声波换能器的交流电流或施加于超声波换能器的交流电压。6.如申请专利范围第3项的方法,其中参数P是流过超声波换能器的交流电流或施加于超声波换能器的交流电压。7.如申请专利范围第1项的方法,其中感测器(1)包括压敏电阻元件(2,3,4,5)。8.如申请专利范围第2项的方法,其中感测器(1)包括压敏电阻元件(2,3,4,5)。9.如申请专利范围第3项的方法,其中感测器(1)包括压敏电阻元件(2,3,4,5)。10.如申请专利范围第4项的方法,其中感测器(1)包括压敏电阻元件(2,3,4,5)。11.如申请专利范围第5项的方法,其中感测器(1)包括压敏电阻元件(2,3,4,5)。12.如申请专利范围第7项的方法,其中感测器(1)包括第一压敏电阻元件(2,3,4,5),用于测量第一方向上产生的剪切力,及包括第二压敏电阻元件(11,12,13,14),用于测量第二方向上产生的剪切力;及由第一压敏电阻元件与第二压敏电阻元件所输出信号用于确定参考値URef及校正系数。图式简单说明:第1.2图示出了集成在半导体晶片上包括4个压敏电阻元件的感测器,第3图示出了4个电敏电阻元件的电路,第4图示出了打线机的元件,第5图示出了感测器的输出信号,及第6图示出了另一感测器。 |
