| 主权项 |
1.一种发光装置,其系具有:含电极之基体;基板,其系实装于前述基体,由n型ZnSe单晶所成者;磊晶发光构造,其系形成于前述基板,以电流注入而发光,由ZnSe为母体之混晶化合物所成者;与反射构造,其系将以前述磊晶发光构造之发光光激发前述基板而得之萤光强度之空间分布,配合前述磊晶发光构造之发光强度之空间分布者。2.如申请专利范围第1项之发光装置,其中前述反射构造为,将由前述基板之萤光向前述发光装置之发光方向散射。3.如申请专利范围第1项之发光装置,其中设有前述反射构造位于前述基板之周围之前述基体上。4.如申请专利范围第1项之发光装置,其中藉改变前述反射构造之光反射率,以调整由前述磊晶发光构造之发光与由前述基板之萤光之强度比。5.如申请专利范围第1项之发光装置,其中前述反射构造,包含白色的树脂、埋入光散射体之树脂及在表面披覆金属之树脂;前述基体包含有图形导线之树脂所成之印刷基板。6.如申请专利范围第1项之发光装置,其中前述发光装置之发光色为白色,其系包含由带黄色之白色到带蓝色之白色者;或是中间色,其系包含红紫色或粉红色者。图式简单说明:图1为基板发光型多色LED之剖面图。图2为表示基板发光型多色LED之裸晶片之发光强度之空间分布,与基板之萤光强度之空间分布之图。图3为表示以透明树脂封装之表面实装型LED之构造例之剖面图。图4A为表示本发明之反射器之图,4B-1为表示无4A之反射器时之基板萤光之指向性之图,4B-2为表示有4A之反射器时之基板萤光之指向性之图,4D-1为表示无4C之反射器时之基板萤光之指向性之图,4D-2为表示有4C之反射器时之基板萤光之指向性之图。图5为表示磊晶发光构造之发光色,与基板萤光色之(X,Y)色度图。图6为表示本发明之实施例1之LED之ZnSe基板及磊晶发光构造之剖面图。图7A~7D为表示本发明之实施例1之LED之剖面图。图8A~8D为示于图7A~7D之LED之磊晶发光构造之发光强度之空间分布,与基板之萤光强度之空间分布之图。图9A~9C为表示,本发明实施例2之LED之磊晶发光构造之发光强度之空间分布,与基板之萤光强度之空间分布之图。图10A及10B为表示本发明之实施例3之LED之剖面图。图11A及11B为表示本发明实施例3之LED之磊晶发光构造之发光强度之空间分布,与基板之萤光强度之空间分布之图。 |
