PROCEDE DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS EN COUCHES MINCES A BASE DE COMPOSES I-III-VI2, POUR APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUES

摘要

La présente invention concerne la fabrication de CIGS en couches minces. On dépose sur substrat une couche de stoechiométrie voisine de CuInSe2 , par électrochimie. On effectue ensuite un recuit rapide de cette couche à partir d'une source de lumière avec des impulsions de puissance suffisante pour recristalliser le CIS. Avantageusement, les éléments électrodéposés sont pré-mélangés. On obtient après l'étape de dépôt une matrice homogène qui peut supporter de brusques montées en température pendant le recuit rapide.