| 发明名称 |
Semiconductor layer |
| 摘要 |
The present invention provides a highly doped semiconductor layer.
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| 申请公布号 |
US2003201460(A1) |
申请公布日期 |
2003.10.30 |
| 申请号 |
US20020135225 |
申请日期 |
2002.04.30 |
| 申请人 |
SEAFORD MATTHEW L.;GEISS ARTHUR E.;LEWIS WAYNE;KAPITAN LARRY W.;ROGERS THOMAS J. |
发明人 |
SEAFORD MATTHEW L.;GEISS ARTHUR E.;LEWIS WAYNE;KAPITAN LARRY W.;ROGERS THOMAS J. |
| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/22;H01L21/331;H01L21/38;H01L29/207;H01L29/737;H01L31/0328;H01L31/0336;H01L31/072;H01L31/109;(IPC1-7):H01L31/032;H01L31/033 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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