发明名称 |
免闭锁功率金属氧化物半导体-双极型晶体管及其形成方法 |
摘要 |
提供了一种MOS双极型晶体管,其中包括在n型体材料单晶碳化硅衬底上形成的碳化硅npn双极型晶体管并有n型漂移层和p型基极层。基极层最好是通过外延生长形成的台面。碳化硅nMOSFET邻近npn双极型晶体管形成,使得施加电压到nMOSFET栅极的电压导致npn双极型晶体管进入导电状态。nMOSFET有源极和漏极以便当双极型晶体管在导电状态时为npn双极型晶体管提供基极电流。同样包括用于把在源极和漏极之间的电子流转换为空穴注入p型基极层的装置。提供了用于减少与上述nMOSFET的绝缘层相关的场集聚效应的装置。 |
申请公布号 |
CN1126180C |
申请公布日期 |
2003.10.29 |
申请号 |
CN98806110.4 |
申请日期 |
1998.06.10 |
申请人 |
克里公司 |
发明人 |
R·辛格;J·W·帕莫尔 |
分类号 |
H01L29/73;H01L29/24 |
主分类号 |
H01L29/73 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
邹光新;王忠忠 |
主权项 |
1.一种MOS双极型晶体管单元,包括:n型单晶体材料碳化硅衬底(10);邻近上述n型导电单晶体材料碳化硅衬底的n型碳化硅漂移层(12),上述n型漂移层具有小于n型碳化硅衬底的载流子浓度;在上述n型碳化硅漂移层上的p型碳化硅基极层(14);在上述p型基极层中的第一n型碳化硅区(18);在上述p型基极层中的栅极槽(16),通过上述基极层和第一n型区延展到漂移层,以便提供部分n型区作为栅极槽的部分侧面;在上述栅极槽的底部和侧面上的绝缘层(24);在上述邻近栅极槽排列的基极层中的第二n型碳化硅导电区(20);在上述绝缘层上的栅极触点(26),延展到部分第一n型区之上;在上述碳化硅衬底与漂移层相对的表面上的集电极触点(30);在上述基极层(22)中的p型碳化硅区,在上述第一n型区和上述第二n型区之间排列,上述p型区具有高于p型基极层的载流子浓度以便把流过上述第一n型区的电子流转变成空穴注入p型基极层;和在上述第二n型碳化硅区上的发射极触点(28)。 |
地址 |
美国北卡罗来纳州 |