半导体激光器件

摘要

一种半导体激光器件具有n型GaAs衬底1支撑的依次形成的n型AlGaAs第一盖层2，多重量子阱有源层3和p型AlGaAs第二盖层4。多重量子阱有源层3具有两个量子阱层3a和设置在每一量子阱层3a两侧的垒层3b。每一量子阱层3a由In_1－V1Ga_V1As_1－W1P_W1构成，每一垒层3b由In_1－V2Ga_V2As_1－W2P_W2构成。这里，V1和V2满足V1＜V2，W1和W2满足W1＜W2。垒层相对于GaAs衬底具有张应变，阱层相对于GaAs衬底具有压应变。

主权项

1.一种半导体激光器件，其具有由第一导电类型的GaAs衬底支撑并依次形成的第一导电类型的第一盖层、有源层和第二导电类型的第二盖层，所述层中的每一层均由III-V族化合物半导体构成，该有源层具有至少一个阱层和一些垒层，该垒层具有大于该阱层的能隙，该阱层被置于该垒层之间，其中该阱层和垒层每层都包含作为V族元素的P和As及作为III族元素的Ga和In；该垒层中的V族元素中P的比例大于阱层中的V族元素中P的比例；该垒层中的III族元素中In的比例小于阱层中的III族元素中In的比例；该垒层具有相对于GaAs衬底的张应变；该阱层具有相对于GaAs衬底的压应变；以及该半导体激光器件具有约780nm的发射波长。