| 发明名称 | 多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管器件，包括：基板；在基板上的缓冲层；在缓冲层上的有源层，有源层由多晶硅构成并包括第一未掺杂区、第二轻掺杂区和第三重掺杂区；在缓冲层上的栅绝缘层；在栅绝缘层上的包括对应于第一区的第一和第二栅极的双重栅极；在栅绝缘层上覆盖双重栅极的层间绝缘层；暴露第三区的源和漏接触孔；穿透层间绝缘层以暴露部分双重栅极的栅接触孔；在层间绝缘层上通过源和漏接触孔接触第三区的源极和漏极；和在绝缘层上通过栅接触孔接触双重栅极的暴露部分的第三栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN1452250A | 申请公布日期 | 2003.10.29 |
| 申请号 | CN03109895.9 | 申请日期 | 2003.04.15 |
| 申请人 | LG.飞利浦LCD有限公司 | 发明人 | 郑训周 |
| 分类号 | H01L29/786;H01L21/336 | 主分类号 | H01L29/786 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李辉 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管器件，包括：基板；在基板上的缓冲层；在缓冲层上的岛状有源层，岛状有源层由多晶硅构成并包括第一未掺杂区、第二轻掺杂区和第三重掺杂区；在缓冲层上并覆盖岛状有源层的栅绝缘层；在栅绝缘层上并包括对应于第一未掺杂区的第一和第二栅极的双重栅极；在栅绝缘层上形成并覆盖双重栅极的层间绝缘层；穿透层间绝缘层和栅绝缘层以暴露第三重掺杂区的源和漏接触孔；穿透层间绝缘层以暴露部分双重栅极的栅接触孔；在层间绝缘层上形成并通过源和漏接触孔接触第三重掺杂区的源极和漏极。 | ||
| 地址 | 韩国汉城 | ||