闪存结构及其制作方法

摘要

本发明涉及一种闪存结构及其制作方法，所完成的闪存的悬浮栅极，并不需要使用微影方法，因此并不会在悬浮栅极层与主动区间，产生对准错误的情形。本发明的悬浮栅极是利用蚀刻沟道隔离区来达成具有凸起的结构，因此若欲提升悬浮栅极层和控制栅极层间的耦合面积，仅需增加沟道隔离区的蚀刻深度，所以可在不牺牲闪存总面积情形下，增加其间的交连电容。

主权项

1.一种闪存的制作方法，应用于一半导体基底上，其特征在于，所述半导体基底上具有由隔离结构所隔离出的主动区，所述方法至少包含下列步骤：蚀刻所述隔离结构至一深度，以形成凹陷型隔离结构；形成共形的第一介电层于所述主动区与所述凹陷型隔离结构上；蚀刻所述第一介电层，以形成间壁隙于所述主动区侧壁上；执行热氧化方法以形成穿隧氧化层于所述主动区表面上；形成共形的掺杂硅层于所述穿隧氧化层与所述凹陷型隔离结构上；回填一牺牲层于所述凹陷型隔离结构中；形成氧化层于暴露出的所述掺杂硅层表面上；以所述氧化层为罩幕，蚀刻所述牺牲层与所述掺杂硅层以暴露出所述凹陷型隔离结构的上表面；去除所述氧化层；形成一第二介电层于所述掺杂硅层与所述凹陷型隔离结构的表面上；形成一导体层于所述第二介电层上；图案化所述导体层以形成字符线；以及以所述字符线为罩幕进行所述主动区的离子布植来形成源极和漏极。