| 发明名称 | 一种新的栅介质堆层结构 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种高介电栅介质的堆层结构。随着器件尺寸的不断缩小，当栅氧厚度＜1.5nm时，穿过栅氧的漏电流太大，不得不寻求高介电材料来替代二氧化硅。本发明提出一种双层栅堆层结构，即：Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>/(Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>+Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>)或Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>/BaZrO<SUB>3</SUB>结构。Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>的带隙是8.8eV，介电常数～10，导带偏移为2.8eV，与SiO<SUB>2</SUB>在带隙和能带组合上相似，唯一的缺点是介电常数偏低。因此，我们用介电常数较高的Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>+Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>(k＞10)混合层或BaZrO<SUB>3</SUB>，来提高整体的介电常数值。另外，采用金属栅Ta或TaN做电极，避免了多晶硅耗尽和硼穿透。 | ||
| 申请公布号 | CN1450656A | 申请公布日期 | 2003.10.22 |
| 申请号 | CN03116930.9 | 申请日期 | 2003.05.15 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司 | 发明人 | 缪炳有;徐小诚 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/283 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陶金龙;陆飞 |
| 主权项 | 1、一种双层栅介质堆层结构，其特征在于采用Al2O3、混合Ta2O5+Al2O3或BaZrO3高介电层双层结构。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东碧波路518号B楼303室 | ||