发明名称 |
存储单元构件及生产方法 |
摘要 |
本发明涉及存储单元阵列的存储单元构件,该阵列至少有一个铁磁体存储部件层(11),铁磁体存储部件层(11)分别与第一连接线(10)连接,第一连接线(10)布设于第一介质层(6)中,并且(11)分别与第二连接线(20,29,35)连接,第二连接线(20,29,35)布于第二介质层(17,27,32)中。 |
申请公布号 |
CN1451164A |
申请公布日期 |
2003.10.22 |
申请号 |
CN01815044.6 |
申请日期 |
2001.08.28 |
申请人 |
印芬龙科技股份有限公司 |
发明人 |
斯特凡·米塔纳;西格弗里德·施瓦茨尔;安妮特·森格尔 |
分类号 |
G11C11/16;G11C11/15;G11C11/02 |
主分类号 |
G11C11/16 |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
戎志敏 |
主权项 |
1.一种存储单元构件,具有:存储单元阵列,该阵列至少有一个磁阻存储部件层(11),每个部件层均与第一连接线(10)连接,第一连接线(10)布设在第一介质层(6)中,每个部件层均与第二连接线(20,29,35)连接,第二连接线(20,29,35)布设在第二介质层(17,27,32)中,其特征在于,在第一连接线(10)与第二连接线(17,27,32)之间有一扩散阻挡层(15,22,7,31)。 |
地址 |
德国慕尼黑 |