| 主权项 |
1.一种基板处理方法,乃属于在具有复数区域的反应容器内,于各区域配置基板的同时,还对反应容器内导入处理气体,来处理基板之基板处理方法,其特征为具备有:令反应容器内的各区域利用加热部加热,并使各区域昇温到配合该区域的第1制程温度之昇温工程、和针对反应容器内的各区域,使温度从该区域的第1制程温度移行至配合该区域的第2制程温度之温度移行工程;于温度移行工程时对反应容器内导入处理气体而来处理基板;各区域系于各区域间具有互不相同的第1制程温度;各区域系于各区域间具有互不相同的第2制程温度。2.如申请专利范围第1项所记载之基板处理方法,其中,于温度移行工程中,各区域会从第1制程温度降温到第2制程温度,或者也可以昇温或保持温度。3.如申请专利范围第1项所记载之基板处理方法,其中,于温度移行工程中,各区域会从第1制程温度降温到第2制程温度,或者也可以昇温。4.如申请专利范围第1项所记载之基板处理方法,其中,于昇温工程中,在反应容器的外面,利用被设在每个区域的加热部,来加热反应容器内的各区域。5.如申请专利范围第1项所记载之基板处理方法,其中,于昇温工程中,停止对反应容器内导入处理气体。6.如申请专利范围第1项所记载之基板处理方法,其中,于昇温工程中,使各区域加热到770℃的第1制程温度,且于温度移行工程中,使各区域从770℃的第1制程温度降温到750℃的第2制程温度。7.如申请专利范围第4项所记载之基板处理方法,其中,于温度移行工程中,针对某一区域抑制来自配合该区域的加热部之加热,而令该区域降温。8.如申请专利范围第1项所记载之基板处理方法,其中,于温度移行工程中,从被设在反应容器周缘的气体导入管,导入成膜气体。9.如申请专利范围第1项所记载之基板处理方法,其中,更具备有于温度移行工程后,使各区域从第2制程温度向第1制程温度移行之追加的温度移行工程。10.如申请专利范围第5项所记载之基板处理方法,其中,温度移行工程与追加的温度移行工程是重复的进行。11.一种基板处理方法,乃属于在具有复数区域的反应容器内,于各区域配置基板的同时,还对反应容器内导入处理气体,来处理基板之基板处理方法,其特征为具备有:令反应容器内的各区域利用加热部加热,并使各区域昇温到配合该区域的第1制程温度之昇温工程、和针对反应容器内的各区域,使温度从该区域的第1制程温度变化至配合该区域的第2制程温度之温度变化工程;于温度变化工程时对反应容器内导入处理气体而来处理基板;各区域系于各区域间具有互不相同的第1制程温度;各区域系于各区域间具有互不相同的第2制程温度。12.如申请专利范围第11项所记载之基板处理方法,其中,于温度变化工程中,至少1个区域会从第1制程温度被降温到第2制程温度。13.如申请专利范围第11项所记载之基板处理方法,其中,于温度变化工程中,至少1个区域会从第1制程温度被昇温到第2制程温度。14.如申请专利范围第11项所记载之基板处理方法,其中,于昇温工程中,在反应容器的外面,利用被设在每个区域的加热部,来加热反应容器内的各区域。15.如申请专利范围第11项所记载之基板处理方法,其中,于昇温工程中,停止对反应容器内进入处理气体。16.如申请专利范围第15项所记载之基板处理方法,其中,于温度变化工程中,针对某一区域抑制来自配合该区域的加热部之加热,而令该区域降温。图式简单说明:第1图系表示藉由本发明实施基板处理方法之纵型热处理装置之其中一例之纵断侧面图。第2图系表示纵型热处理装置的一部分之立体图。第3图系表示藉由本发明所用的基板处理方法来形成氮化矽膜时的温度和时间的关系之特性图。第4图系表示氮化矽膜成膜时的温度和时间的关系之特性图。第5图系表示氮化矽膜之膜厚与晶圆上的位置之关系特性图。第6图系表示温度与晶圆上的位置之关系特性图。第7图系表示氮化矽膜之膜厚与晶圆上的位置之关系特性图。第8图系表示氮化矽膜之膜厚的面内均一度和晶舟上的晶圆位置之关系特性图。第9图系表示氮化矽膜之膜厚和晶圆上的位置之关系特性图。第10图系欲说明晶圆上的抽样处之平面图。第11图系表示氮化矽膜成膜时的温度和时间之关系特性图。第12图系表示矽氧化膜成膜时的温度和时间之关系特性图。 |
