| 主权项 |
1.一种基板处理装置,系用以处理基板者,其包含有:保持上述基板的基板保持体;加热机构,介由上述基板保持体加热上述基板;温度测定机构,从与保持上述基板之表面侧相反的基板保持体之背面侧测定上述基板保持体的温度;及监视机构,根据上述温度测定机构的测定値,监视与上述基板保持体温度相关的上述基板翘曲量。2.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其更备有对于上述温度测定机构使上述基板保持体相对旋转的旋转机构,上述温度测定机构系测定藉由上述旋转机构使之对上述温度测定机构相对旋转的上述基板保持体之背面圆周方向的温度,上述监视机构系根据上述温度测定机构的测定値,监视上述基板圆周方向的翘曲量。3.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中,上述监视机构系由从上述温度测定机构测定的基板保持体温度中,根据指定之演算式求得上述基板翘曲量的演算机构所构成。4.一种基板处理装置,系用以处理基板者,其包含有:保持上述基板的基板保持体;加热机构,介由上述基板保持体加热上述基板;温度测定机构,测定上述基板或基板保持体的温度;演算机构,根据上述温度测定机构的测定値,求得与上述测定温度相关的上述基板翘曲量;及翘曲控制机构,藉由按照上述演算机构所求得的翘曲量控制上述加热机构,来控制上述基板的翘曲状态。5.如申请专利范围第4项之基板处理装置,其中,在维持藉由上述翘曲控制机构控制的指定翘曲状态下直接处理上述基板。6.一种半导体装置之制造方法,系对保持于基板保持体表面之基板进行成膜以制造半导体装置的方法,其包含有以下步骤:介由上述基板保持体加热上述基板;从背面侧测定上述基板保持体的温度;及根据测定値监视与上述基板保持体温度相关的上述基板翘曲量。7.如申请专利范围第6项之半导体装置之制造方法,其中,从背面侧测定上述基板保持体的温度时,测定上述基板保持体之背面圆周方向的温度,且根据测定値监视与上述基板保持体温度相关的上述基板圆周方向之翘曲量。8.如申请专利范围第6项之半导体装置之制造方法,其中,监视上述基板翘曲量的方法,系从已测定的上述基板保持体之温度中,根据指定之演算式来求得上述基板的翘曲量。9.一种半导体装置之制造方法,系对基板进行成膜以制造半导体基板的方法,其包含有以下步骤:于基板保持体的表面保持上述基板;介由上述基板保持体加热上述基板;测定上述基板或基板保持体的温度;根据测定値求得与上述测定温度相关的上述基板翘曲量;藉由按照上述求得的翘曲量调整上述基板之加热量,来控制上述基板的翘曲状态;及对经控制之翘曲状态的基板进行成膜。10.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其中,对上述经控制之翘曲状态的基板进行成膜时,在维持指定的翘曲状态下直接进行成膜处理。图式简单说明:图1为基于实施形态之处理室的部分放大图。图2为基于实施形态之根据基板保持板旋转的温度计之温度测定轨迹的说明图。图3为基于实施形态之单片式基板处理装置的概略剖面图。图4为显示基板保持温度分布之基板翘曲量依赖关系的说明图。图5为显示基板保持温度分布之基板翘曲量依赖关系的说明图。图6(A)、(B)显示基板与基板保持板的面内温度分布之基板翘曲量依赖关系的说明图。图7为对于基板保持板温度之基板翘曲量的相关特性图。图8(A)、(B)为显示升温处理中与常温时之基板及成膜的情况的说明图。图9为显示防止膜剥离之原理的说明图。图10为显示基板翘曲为凸状之情况的说明图。图11为显示基板翘曲为凹状之情况的说明图。图12为成为实施形态的前提之单片式基板处理装置的概略剖面图。图13为成为实施形态的前提之单片式基板处理装置的概略剖面图。图14为显示基板面内温度之不均匀产生模式的说明图。图15为显示基板保持温度分布之基板弹性变形依赖关系的说明图。图16为显示基板保持温度分布之基板弹性变形依赖关系的说明图。 |
