| 主权项 |
1.一种用于侦测沟槽电容器与主动区之误对准的测试方法,包括:提供一基底,该基底至少具有一切割道和一记忆胞区;于该基底之该切割道形成一测试元件,并同时于该基底之该记忆胞区形成复数记忆胞,其中该测试元件包括:一第一、第二矩形沟槽电容器,对齐地设置于该基底中,其中该第一矩形沟槽电容器具有一第一侧边相邻于第二矩形沟槽电容器之一第二侧边;一四边形主动区,定义于该基底上,具有相等之四个边,一对角线大体上与该第一、第二侧边垂直,以及一第一、第二对角,分别距离该第一及第二侧边一既定距离;分别量测该第一矩形沟槽电容器之第一侧边及第二矩形沟槽电容器之第二侧边与该四边形主动区之接面电阻値;根据该等接面电阻値,判断该四边形主动区与该第一、第二矩形沟槽电容器是否有误对准;以及若产生误对准时,根据该等接面电阻値以及该第二对角与该第二侧边间之既定距离,以计算出该四边形主动区与该第一、第二矩形沟槽电容器之第一、第二侧边之重叠偏移量(X)。2.如申请专利范围第1项所述之用于侦测沟槽电容器与主动区之误对准的测试方法,其中当该等矩形沟槽电容器之第一、第二侧边与该四边形主动区之接面电阻値不相等时,则表示该四边形主动区与该第一、第二矩形沟槽电容器之重叠产生有误对准。3.如申请专利范围第2项所述之用于侦测沟槽电容器与主动区之误对准的测试方法,该重叠偏移量系依照下列数学式而求得:X=X*(R2-R1)/(R2+R1);其中,X表示该四边形主动区与该等矩形沟槽电容器之重叠偏移量;X表示该第一矩形沟槽电容器之第一侧边与该第一顶角间之既定距离,以及该第二顶角与该第二矩形沟槽电容器之第二侧边间之既定距离;R1表示该第一矩形沟槽电容器之第一侧边与该四边形主动区之接面电阻値;以及R2表示第二矩形沟槽电容器之第二侧边与该四边形主动区之接面电阻値。4.如申请专利范围第1项所述之用于侦测沟槽电容器与主动区之误对准的测试方法,其中该四边形主动区系以离子植入方式形成。5.如申请专利范围第1项所述之用于侦测沟槽电容器与主动区之误对准的测试方法,其中该四边形主动区为一菱形。6.如申请专利范围第1项所述之用于侦测沟槽电容器与主动区之误对准的测试方法,其中该四边形主动区为正方形。7.一种用于侦测沟槽电容器与主动区之误对准的测试元件,系设置于切割道,该测试元件包括:一基底;一第一、第二矩形沟槽电容器,对齐地设置于该基底中,其中该第一矩形沟槽电容器具有一第一侧边相邻于第二矩形沟槽电容器之一第二侧边;以及一四边形主动区,定义于该基底上,具有相等之四个边,以及四个顶角,其中一第一、第二顶角之一对角线大体上与该第一、第二侧边垂直,并且该第一、第二顶角,分别距离该第一及第二侧边一既定距离。8.如申请专利范围第7项所述之用于侦测沟槽电容器与主动区之误对准的测试元件,其中该四边形主动区为一菱形。9.一种用于侦测沟槽电容器与主动区之误对准的测试元件,系设置于切割道,该测试元件包括:一基底;一第一、第二矩形沟槽电容器,对齐地设置于该基底中,其中该第一矩形沟槽电容器具有一第一侧边相邻于第二矩形沟槽电容器之一第二侧边;以及一多边形主动区,定义于该基底上,至少具有相等之四个边,各两个该等相等四边之延长线形成一第一及第二顶角,该第一及第二顶角之一对角线大体上与该第一、第二侧边垂直,以及该第一、第二顶角,分别距离该第一及第二侧边一既定距离。图式简单说明:第1图系绘示传统的深沟槽电容器之布局图。第2图系为第1图沿线段A-A'的剖面图。第3图系表示本发明之一种用于侦测沟槽电容器与主动区的误对准之测试元件的布局图及记忆胞区的布局图。第4图系表示第3图沿线段B-B'的剖面图。第5图系表示第3图沿线段C-C'的剖面图。第6a~6c图系为本发明之测试方法的示意图。第7图系为本发明之测试元件之另一型态。 |
