| 主权项 |
1.一种电浆处理方法,包括:将一待处理之基板置于有一内壁之小室内;将该内壁设定在第一温度而对该基板进行电浆处理;及将该内壁设定在高于该第一温度之第二温度而以电浆清洗该内壁。2.如申请专利范围第1项之电浆处理方法,其中该第二温度为110℃或更高。3.如申请专利范围第1项之电浆处理方法,其中将O2气体注入该室而以该O2气体之电浆清洗该内壁。4.如申请专利范围第3项之电浆处理方法,其中该O2气体被加热并注入该室。5.如申请专利范围第1项之电浆处理方法,更包括将该内壁设定在低于该第二温度之温度而对该基板施加第二电浆处理。6.如申请专利范围第5项之电浆处理方法,其中该第二温度为110℃或更高。7.如申请专利范围第4项之电浆处理方法,其中O2气体之加热是以断热压缩进行。8.一种电浆处理方法,包括:将一将被电浆处理之基板置于一小室中;将一种气体注入该小室而增大该气体之压力;及将该气体从该小室排出而减小该小室内该气体之压力而以断热方式冷却该小室。9.如申请专利范围第8项之电浆处理方法,其中该气体为N2气体。10.如申请专利范围第8项之电浆处理方法,其中该气体被快速排放而在2秒内满足下述关系:P1>100P2其中P1为该气体注入时之压力而P2为该气体排放时之压力。11.如申请专利范围第8项之电浆处理方法,其中该小室在将该气体注入该小室前一度清除成完全真空。12.如申请专利范围第8项之电浆处理方法,其中注入与排出该气体之作业重复若干次。13.一种电浆处理方法,包括:将一待处理之基板放入有一内壁之小室内;将该内壁设定至第一温度而使该基板接受电浆处理;将该内壁设定至高于第一温度之第二温度而清洗该内壁;将一种气体注入该小室以增大该气体之压力;及将该气体从该小室排出以减小该气体之压力而以断热方式冷却该小室。14.如申请专利范围第13项之电浆处理方法,其中该第二温度为110℃或更高。15.如申请专利范围第13项之电浆处理方法,其中是将O2气体注入该小室而以O2气体电浆清洗该小室。16.如申请专利范围第15项之电浆处理方法,其中该O2气体被加热并注入该小室内。17.如申请专利范围第16项之电浆处理方法,其中是以断热压缩进行对该O2气体之加热。18.如申请专利范围第13项之电浆处理方法,其中该气体为N2气体。19.如申请专利范围第13项之电浆处理方法,其中该气体被快速排放而在2秒内满足下述关系:P1>100P2其中P1为该气体被注入时之压力而P2为该气体被排出时之压力。20.如申请专利范围第13项之电浆处理方法,其中该小室在该气体注入其中前一度清除成完全真空。图式简单说明:图1所示为当真空室内部温度在60℃时氧化碳放射强度与清洗时间间关系之特性曲线;图2所示为当真空室内部温度分别在110℃及150℃时氧化碳放射强度与清洗时间间关系之特性曲线;图3所示为将预先加热之气体注入真空室时氧化碳放射强度与清洗时间间关系之特性曲线;图4为按照本发明一实例电浆处理装置之略图;图5为一待处理基板之断面图;及图6为本发明与一先前技术间清洗效果差异之曲线。 |
