| 主权项 |
1.一种晶片型微流道之制造方法,其系包含下列步骤:(a)提供一基板;(b)在该基板上形成复数个凹槽通道,用以提供该流体流动、检测混合及分离之区域;(c)提供一透光板及一覆盖层,透过该覆盖层将该透光板与该基板接合,俾使该复数个凹槽通道形成一密封性区域;(d)在该覆盖层上定义出复数个注入口及流出口;以及(e)去除该透光板,以得到该检测晶片。2.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该步骤(b)更包含下列步骤;(b1)提供一模具,用以套模于该基板上;(b2)加热该基板至一反应温度,并以该模具对该基板施压;以及(b3)将该基板降温,以使该基板自该模具中脱离,并于该基板上形成该复数个凹槽通道。3.如申请专利范围第2项之制造方法,其中该反应温度为该基板之转换温度。4.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该基板为一玻璃基板。5.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该透光板为一透光玻璃。6.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该复数个注入口及该复数个流出口,系分别位于该复数个凹槽通道各末端之上。7.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该覆盖层系为一UV胶层。8.如申请专利范围第7项之制造方法,其中该UV胶层更包含一结构层及一牺牲层。9.如申请专利范围第8项之制造方法,其中该结构层系具有一负光阻之特性,即未经光照射时会分解,其中该结构层为一SU8。10.如申请专利范围第8项之制造方法,其中该牺牲层系具有一正光阻之特性,即经光照时会分解,其中该牺牲层为一AZ4620。11.如申请专利范围第7项之制造方法,其中该复数个注入口及流出口,系经由UV层以曝光显影定义。12.一种用以检测一流体样本之流体检测晶片之制造方法,其系包含下列步骤:(a)提供一基板,(b)在该基板上形成复数个凹槽通道,(c)在该基板上覆盖一覆盖层;以及(d)在该覆盖层上形成复数个注入口及复数个流出口,以得到该检测晶片。13.如申请专利范围第12项之制造方法,其中该复数个注入口及该复数个流出口,系分别位于该复数个凹槽通道两末端之上。14.如申请专利范围第12项之制造方法,其中该覆盖层系为一UV胶层。15.如申请专利范围第14项之制造方法,其中该UV胶层更包含一结构层及一牺牲层。16.如申请专利范围第15项之制造方法,其中该结构层系具有一负光阻之特性,即未经光照射时会分解,其中该结构层为一SU8。17.如申请专利范围第15项之制造方法,其中该牺牲层系具有一正光阻之特性,即经光照时会分解,其中该牺牲层为一AZ4620。18.如申请专利范围第12项之制造方法,其中该复数个凹槽通道,系经由热压模造成型。19.如申请专利范围第14项之制造方法,其中该复数个注入口及流出口,系经由UV层以曝光显影定义。20.如申请专利范围第12项之制造方法,其中该基板为一玻璃基板。21.一种流体检测晶片,用以检测一流体样本,其系包含:一基板,其系具有复数个凹槽通道,用以提供该流体流动、检测混合及分离之区域;以及一覆盖层,其系覆盖于该基板上,俾使该复数个凹槽通道形成一密封性区域。22.如申请专利范围第21项之流体检测晶片,其中该覆盖层更具有复数个注入口及流出口,以分别使该流体样本,注入及流出该复数个凹槽通道。23.如申请专利范围第22项之流体检测晶片,其中该复数个注入口及该复数个流出口,系分别位于该复数个凹槽通道各末端之上。24.如申请专利范围第22项之流体检测晶片,其中该复数个注入口及流出口,系经由曝光显影定义而成。25.如申请专利范围第21项之流体检测晶片,其中该覆盖层系为一UV胶层。26.如申请专利范围第25项之流体检测晶片,其中该UV胶层为一SU8。27.如申请专利范围第21项之流体检测晶片,其中该复数个凹槽通道,系经由热压模造成型。28.如申请专利范围第21项之流体检测晶片,其中该基板为一玻璃基板。图式简单说明:第一图(a)为根据本发明之一平行检测晶片示意图;第一图(b)为单一检测元件之示意图;第一图(c)为单一检测元件A-A之剖面图;第二图(a)为根据本发明之一热压玻璃之前置作业;第二图(b)为根据本发明之一热压模造玻璃之热压过程;第二图(c)为根据本发明之一热压模造玻璃之脱模过程;第二图(d)为根据本发明之一熬压模造玻璃之结果;第三图(a)为根据本发明之玻璃基材示意图;第三图(b)为透光玻璃旋布上两层UV胶示意图;第三图(c)为透光玻璃与基板结合后的结果示意图;第三图(d)为结合后经UV光曝光示意图;第三图(e)为去除到牺牲层之示意图;第三图(f)为显影后之结果示意图。 |
