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经营范围
发明名称
LSI掩模制造系统,LSI掩模制造方法,和LSI掩模制造程式LSI MASK MANUFACTURING SYSTEM, LSI MASK MANUFACTURING METHOD AND LSI MASK MANUFACTURING PROGRAM
摘要
一种LSI掩模制造之电脑实施方法将连接至一网路之一蚀刻单元之效能资讯储存在一蚀刻单元资料库中。该方法从一连接至网路之使用者终端机接收一蚀刻资料和一蚀刻保留条件。该方法将蚀刻资料储存在一蚀刻资料之资料库中。该方法搜寻符合蚀刻保留条件之蚀刻单元,产生一蚀刻单元清单,并将该清单传送至使用者终端机。此外,该方法接收由使用者终端机所指定之一蚀刻单元资讯并传送一蚀刻请求至使用者终端机所指定之蚀刻单元。
申请公布号
TW200305093
申请公布日期
2003.10.16
申请号
TW092106366
申请日期
2003.03.21
申请人
东芝股份有限公司
发明人
小山清美
分类号
G06F17/60
主分类号
G06F17/60
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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